Здравствуйте, vdimas, Вы писали:
Q>>а второй случай вообще -- какая-то дикая нетехнологичная экзотика. V>С чего бы это нетехнологичная? Оксид аллюминия — отличный диэлектрик, оч удобно.
А еще он страшно хрупок.
V>А где ты видел, чтобы я настаивал, что обычных печатныхплатах аллюминий используется именно для разводки? Это было твоё опровержение собственных домыслов.
Потому что ваш слог очень трудно парсить иногда.
V>>>Хотя я имел ввиду аллюминий как подложку гибридов Soc, ес-но, а не материал дорожек печатных плат, но твоё упрямство показательно. Q>>Твое тоже показательно, нет алюминия в современных процессорах, так что сам же агитируешь за гетерогенные контакты медь-алюминий. V>Вообще-то я агитировал за однокомпонентные соединения. Если прямо сейчас используется медь (последние 5 лет) — ну пусть медь. Хотя медь не очень хороша, ес-но и крайне нетехнологична, и у нее нет потрясающего окисла, как у аллюминия...
Такого потрясающего, что он, занимая второе место шкалы Мооса, делает несварочныые соединения алюминия практически неосуществимыми.
V>>>Кстате, аллюминиевые платы первой группы используются более чем широко... странно, что ты не в курсе, коль "пачкаешься хлорным железом уже 20 лет". Q>>Алюминиевые платы первой группы имеют медную разводку, советую читать первую строчку этого постинга и выделенный мной фрагмент цитаты до полного просветления. V>Это надо так понимать, что уже нашел, где я настаивал на не-медной разводке? Можно цитату?
аллюминиевая разводка идет непосредственно к алюминиевым контактным площадкам кристаллов БИС через ультразвуковую микросварку
Здравствуйте, quwy, Вы писали:
Q>>>а второй случай вообще -- какая-то дикая нетехнологичная экзотика. V>>С чего бы это нетехнологичная? Оксид аллюминия — отличный диэлектрик, оч удобно. Q>А еще он страшно хрупок.
В виде пленки на поверхности проводника он лучше любого другого окисла. При той толщине этой пленки, что есть в микросхемах, его хрупкость уже не принципиальна.
V>>А где ты видел, чтобы я настаивал, что обычных печатныхплатах аллюминий используется именно для разводки? Это было твоё опровержение собственных домыслов. Q>Потому что ваш слог очень трудно парсить иногда.
Это к модераторам — пусть предпросмотр починят, а то им пользоваться невозможно.
V>>Вообще-то я агитировал за однокомпонентные соединения. Если прямо сейчас используется медь (последние 5 лет) — ну пусть медь. Хотя медь не очень хороша, ес-но и крайне нетехнологична, и у нее нет потрясающего окисла, как у аллюминия... Q>Такого потрясающего, что он, занимая второе место шкалы Мооса, делает несварочныые соединения алюминия практически неосуществимыми.
И? Лично я за микросварку, ес-но, бо это пока самое надежное соединение. А однокомпонентность обеспечивает срок жизни соединения.
V>>Это надо так понимать, что уже нашел, где я настаивал на не-медной разводке? Можно цитату? Q>
аллюминиевая разводка идет непосредственно к алюминиевым контактным площадкам кристаллов БИС через ультразвуковую микросварку
Q>Разводка чего имелась в виду?
Это было про соединения бескорпусных кристаллов в гибридах.
Здравствуйте, quwy, Вы писали:
Q>>>Я же сказал, что такие дорожки можно печатать принтером, но хлорного железа это никак не отменяет. V>>Хм... А что за принтер? Q>Любой лазерный.
Т.е. фотолитография в домашних условиях?
V>>>>Забудь про HDD, они уже агонизируют. Q>>>Ну да, как я мог забыть. В 2000 году постоянно то же самое слышал про CRT, только "агонизировали" они еще не менее половины десятилетия. V>>Ну так 2 года из этой "половины десятилетия" считай уже прошли. Осталось еще 3. Q>С чего это? В 2000 году LCD были как раз чем-то вроде SSD сейчас.
Как SSD пару лет назад. Уже более-менее по доступным ценам их можно было брать, если не гнаться за топовой емкостью.
Q>>>Это какое же должно быть ускорение, чтобы дорожки порвались?! V>>Дык, рвутся даже без ускорений. Не любят печатные платы даже небольших изгибов. Q>Ни разу у меня из-за изгиба дорожки не рвались. Медь -- весьма пластичный металл, растягивается процентов но 20 перед тем как разорваться.
Если бы не была приклеенная, т.е. растягивалась бы равномерно по всей длине — так и было бы.
V>>Я просто не вижу причин, по которым одна пластиковая хрень с разводкой (печатная плата) должна изготавливаться отдельно от другой пластиковой хрени (гибридная схема на полимере-подложке). Q>Потому что это разные вещи.
Гибрид — это нифига не разная вещь. Это другая технология одного и того же — размещения и соединения компонент.
Здравствуйте, vdimas, Вы писали:
V>1. Арсенид галлия греется на намного меньше при прочих равных.
Объясни
V>2. Аналогично, как кремниевые полупроводники получают из чистого кремния прямо в момент производства микросхем, точно так же можно наращивать на металлах требуемый полупроводниковый слой.
Нет — чистый кремний и есть полупроводник уже сам по себе. Примесями его можно сделать преимущественно p-типа или преимущественно n-типа.
V>Про германий ты вообще скромно умолчал, хотя напряженный (растянутый) кремний делают с его помощью. А сплав (кристалл) вообще обладает уникальными св-вами в плане подвижности зарядов, сохраняя механические св-ва кремния. Тут уже можно будет продолжать снижать размеры меньше граничных для кремния 10-15нм.
Про германий я умолчал умышленно, потому что он очень дорогой и редкий по сравнению с кремнием и даже с GaAs. Под напряжённым кремнием ты имеешь в виду поликремний, или что-то ещё? Что-то я смутно припоминаю, что это за зверь...
V>1. Много слоев (пленок) транзисторов на одном "кристалле". Уже де-факто эта технология есть.
Ссылки плиз. Особенно интересно услышать, как происходит фотолитография во внутренние слои
V>2. Объемное расположение кристаллов на гибриде.
Ну это по сути есть уже сейчас.
V>Жидкостное охлаждение — это основа, ес-но. Но кач-ве основного теплообменного тела все-равно будет металл какой-нить, т.к. должна быть целая теплопроводящая решетка таких размеров, что жидкость уже не подойдет.
Фиг его знает — я что-то не могу себе представить, как заэмбеддить в структуру металлический радиатор, да так, чтобы он ещё и работал...
V>"Жидкость" должна будет сначала достичь температуры плавления, я об этом.
Зачем? Можно использовать хладагент без фазового перехода, то есть он будет уже "готов к употреблению".
V>Вот именно для указанного случая это всё будет происходить одновременно, нагреваясь прямо от чипа.
Мне больше интересно, как реализовать термозащиту таких девайсов. Современные процы сначала замедляются, а потом просто вырубаются при перегреве. Но у них есть на это время — а вот как быть, если эта мегасистема охлаждения поломается?
V>Опять мимо. )) V>Для передачи питания не надо 20 этажей разводки. И сегодня там счет контактов идет вовсе не на сотни.
Я же говорю — сейчас бОльшая часть контактов используется для подведения питания. Даже для относительно древнего LGA775 это 464(!) контакта. Ты предлагаешь заменить эту кучу КО на разводку внутри чипа. Внимательно слушаю идеи, как это сделать, чтобы не оставить существенную часть мощности на этих соединениях. Удельное сопротивление меди 0,0175 Ом*мм^2/м, средняя высота проводящего слоя порядка десятков мкм, рабочее напряжение проца 1.5 В, потребляемая мощность 150 Вт (соответственно сила тока около 100 А суммарно).
V>Давай еще раз и по русски. Так где, по твоему мнению, больше емкость и индуктивность соединений — в соединениях на показанном рисунке или в дорожках печатных плат. И какой порядок разницы, кстате? ))) V>А то попахивает уже юлениями, сорри.
Емкость прямо пропорционально перекрывающейся площади линий (она больше у многослойных мамок, порядок величин ~10^-6 м^2 против ~10^-12 м^2 внутри чипа), и обратно пропорциональна расстоянию между обкладками (оно меньше внутри чипа, порядок ~10^-6 м против ~10^-3 м). НО — в мамке больше места, и посему всегда можно свести перекрывающуюся площадь если и не к нулю, то где-то очень близко, в то время как внутри чипа с местом обычно проблемы.
V>- На каждый конечный блок из тысяч надо не так уж много питания.
Очевидно зависит от блока
V>- Посмотри на рисунок еще раз. Некоторые проводники можно сделать сплошными-"многоэтажными". Более того, питающие линии вполне можно организовать в "витую" пару и вообще как угодно.
Всё равно их размеры очень малы (как я сказал выше, порядок десятков мкм максимум).
V>- в итоге, "толщина" линий нужна лишь извне, и запросто питающие шины могут быть частью конструктива гибрида.
Их надо будет тогда так же много, как и есть сейчас.
V>А вот эти медные дорожки на рисунке — они извне или внутри?
Ну я так понимаю, что внутри.
V>У GaAs хреновато с чистотой и однородностью материала на сегодня... Ну дык, у кремния тоже когда-то было так себе, пока качественно ионизировать прямо по месту не научились.
У кремния есть охренительнейшее преимущество — его широчайшая распространённость в природе. С остальными п/п всё совсем не так радужно.
V>Ток утечки, помимо всего, зависит от приложенного обратного напряжения и "крутости" кривой открытия перехода. Например, для работы токового ключа германию надо порядка 0.3-0.4 В для полного открытия, но для полевого — порядка 0.12В. А токи утечки на этих напряжениях разнятся на порядки.
У германия ширина ЗЗ где-то вдвое меньше кремния. Но собственная проводимость у него выше, потому в утечке преобладают собственные (неосновные) носители.
V>Ага, а потери мощности пропорциональны квадрату приложенного напряжения. V>Кароч, если бы было всё так просто, как ты рассуждаешь...
Ну где-то так оно и есть...
V>Еще нет. Для растянутого (напряженного) кремния на германии — порядка 8нм предел, т.к. подвижность выше. Для спавов кремния-германия — еще в 3-4 раза.
Всё равно это не назвать принципиальным прорывом.
V>Ну вот как раз в объемной кристаллической решетке кремния-германия образуются туннельные точки вокруг атомов германия. Еще в 2005-м об этом на весь мир звиздела IBM и предрекала "новую эру". И че-то тишина до сих пор... Так же как Интелл пока делают на напряженном кремнии, K-изоляторах и прочей попсе, продляющей агонию кремний-онли технологий. См. первый абзац этого поста... Абыдно.
Ну поглядим. Интел сотоварищи постепенно загоняют себя в угол, потому им придётся найти какую-то выход из ситуации
V>Ну вот у тебя 300мм пластина. Сколько с нее выйдет устройств?
Зависит от брака Хотя вон Интел строит (построил?) Фаб42 на 450 мм пластинах — там места больше
V>IBM говорило в 2005-м, что всё уже работает на зверских частотах порядка 50ГГц, просто "процесс пока дорогой". V>Т.е. фактически что имеем: V>- таки возможность уменьшения размеров до порядка 8-10нм (именно такие рисунки уже умеют наносить Intel и IBM, но пока нет таких массовых заводов, это в лаборатоных условиях), т.е. повышение интеграции до 16 раз на прежних размерах кристаллов вполне возможно. V>- уже давно есть более быстрые и более экономные технологии. Вопрос лишь в цене. V>- в сочетании с обязательным пересмотром системы охлаждения, возможен объемный дизайн, т.е. возможно еще повышение интеграции в несколько раз на тех же площадях.
V>И да, объемные FPGA и память уже должны были пойти в серию в этом году: http://www.elcomdesign.ru/reviews/reviews_19.html
Поглядим, чего получится
Здравствуйте, koandrew, Вы писали:
V>>Его придумали более 50 лет назад, так что давай ближе к телу. Ты уже по второй теме что-то скромно бурчишь и потом виляешь.
K>Ну твоё незнание матчасти в области возможностей современных графических карт мы уже установили. Посему эту подветку можно заканчивать — тут всё понятно. В соседней вроде поинтереснее дискуссия пока идёт...
Э, нет, речь была об организации конвейера. Что-то принципиально изменилось с тех пор?
Здравствуйте, ЯпонИц, Вы писали:
ЯИ>Кто сказал что ISA умерла?
Вот обязательно найдется кто нибудь, которому надо специально, для прапорщиков, детализовать весь контекст — ISA умерла в десктопном ширпотребе. Ты бы еще промышленные компы вспомнил — там и сейчас исы до жопы, бо периферия живет десятилетиями.
ЯИ>Так же как ISA?
Здравствуйте, Privalov, Вы писали:
P>У меня тоже. Глянцевый раздражает тем, что при ярком свете на нем отчетливо видны мельчайшие пылинки. Мне это здорово мешает.
Здравствуйте, koandrew, Вы писали:
K>Этого не будет.
Это будет.
K> А, чтобы получить намёк на то, что будет, посмотри на организацию памяти в видеокартах...
Я понимаю, что ты увлекаешься очень игроделием, но видеокарты и десктоп это далеко не одно и тоже. Если есть конкретные доводы касательно основной памяти — давай обсудим, а доказательства по аналогии мне не интересны.
Здравствуйте, quwy, Вы писали:
Q>Латентность последовательной шины всегда в разы (десятки раз) выше, чем работающей на такой же частоте параллельной.
А латентность DRAM такая, что любой современной последовательной шине до нее, как до Пекина раком. Не, латентности HT/QP хватает, чтобы внутренние кеши процессоров синхронизировать, а вот с тормозной DRAM пообщаться — ну вообще никак. Надо мужикам сказать, а то они не в курсе.
Да, рамбас, помнится, был побыстрее DDR то. А тут вдруг яйца стали мешать.
Здравствуйте, quwy, Вы писали:
Q>Это какое же должно быть ускорение, чтобы дорожки порвались?!
Ускорения большого не надо. При постоянной вибрации рвутся межслойные соединения, так как большая гибкость материнки приводит к существенным знакопеременным нагрузкам на них. А там довольно рыхлая медь.
Здравствуйте, koandrew, Вы писали:
V>>1. Арсенид галлия греется на намного меньше при прочих равных. K>Объясни
Проводимость в 6-7 раз лучше.
V>>2. Аналогично, как кремниевые полупроводники получают из чистого кремния прямо в момент производства микросхем, точно так же можно наращивать на металлах требуемый полупроводниковый слой. K>Нет — чистый кремний и есть полупроводник уже сам по себе. Примесями его можно сделать преимущественно p-типа или преимущественно n-типа.
Речь о том, что изначально выращенный кристалл кремния очень чист. Ну и бомбардируют его чистыми ионами.
V>>Про германий ты вообще скромно умолчал, хотя напряженный (растянутый) кремний делают с его помощью. А сплав (кристалл) вообще обладает уникальными св-вами в плане подвижности зарядов, сохраняя механические св-ва кремния. Тут уже можно будет продолжать снижать размеры меньше граничных для кремния 10-15нм. K>Про германий я умолчал умышленно, потому что он очень дорогой и редкий по сравнению с кремнием и даже с GaAs. Под напряжённым кремнием ты имеешь в виду поликремний, или что-то ещё? Что-то я смутно припоминаю, что это за зверь...
Это то, на чем делают процы, начиная с технологий 60нм. При физическом растяжении кристаллической решетки кремния наблюдается улучшение проводимости. Германий имеет близкий по размерам, но чуть более широкий шаг этой решетки, отсюда растет технология "кремний на германии". Бурно обсуждали на этом форуме года 3 назад...
И да, германий вовсе не редкий. Его в земной коре больше серебра, просто он стоит как золото... Дорогой в извлечении, т.к. обычно идет заодно с другими соединениями металлов как примесь.
V>>1. Много слоев (пленок) транзисторов на одном "кристалле". Уже де-факто эта технология есть. K>Ссылки плиз. Особенно интересно услышать, как происходит фотолитография во внутренние слои
В конце дал одну из.
Не происходит никак. Наращивается следующий слой и вперед.
V>>Жидкостное охлаждение — это основа, ес-но. Но кач-ве основного теплообменного тела все-равно будет металл какой-нить, т.к. должна быть целая теплопроводящая решетка таких размеров, что жидкость уже не подойдет. K>Фиг его знает — я что-то не могу себе представить, как заэмбеддить в структуру металлический радиатор, да так, чтобы он ещё и работал...
Вырастить послойно, ес-но, так же как проводники.
Да и вообще, как то же вот такое будет сделано конструктивно:
Samsung и другие компании совершенствуют интерфейс ввода-вывода DRAM для мобильных приложений. Его развитие будет проходить в два этапа. На первом из них появятся 4-секционные устройства, соединенные с помощью микростолбиковых выводов. Их появление ожидается в 2013 г. В будущем поставщики надеются соединять несколько блоков DRAM-памяти с широким интерфейсом ввода-вывода с помощью сквозных межсоединений.
Нужное выделил курсивом.
V>>"Жидкость" должна будет сначала достичь температуры плавления, я об этом. K>Зачем? Можно использовать хладагент без фазового перехода, то есть он будет уже "готов к употреблению".
Теплоемкость? Сколько я читал обсуждения на эту тему, предлагалось использовать жидкие сплавы. А многие из них застывают при температурах заметно ниже комнатных.
V>>Вот именно для указанного случая это всё будет происходить одновременно, нагреваясь прямо от чипа. K>Мне больше интересно, как реализовать термозащиту таких девайсов. Современные процы сначала замедляются, а потом просто вырубаются при перегреве. Но у них есть на это время — а вот как быть, если эта мегасистема охлаждения поломается?
Кол-во датчиков будет больше 1-го.
И вообще, нагревание происходит катастрофически медленно, в сравнении с быстродействием. Т.е. чип заведомо успеет отреагировать.
V>>Опять мимо. )) V>>Для передачи питания не надо 20 этажей разводки. И сегодня там счет контактов идет вовсе не на сотни. K>Я же говорю — сейчас бОльшая часть контактов используется для подведения питания. Даже для относительно древнего LGA775 это 464(!) контакта. Ты предлагаешь заменить эту кучу КО на разводку внутри чипа. Внимательно слушаю идеи, как это сделать, чтобы не оставить существенную часть мощности на этих соединениях. Удельное сопротивление меди 0,0175 Ом*мм^2/м, средняя высота проводящего слоя порядка десятков мкм, рабочее напряжение проца 1.5 В, потребляемая мощность 150 Вт (соответственно сила тока около 100 А суммарно).
Я все-равно не понял вопроса. Каким-то образом сейчас это питание подведено на чип? Чем гибрид хуже? Земля там уже есть на пьедестале. Остается еще в 2 раза меньше соединений. Ну пойдет питающая шина — часть конструктива, от которой пойдут контакты к разым точкам кристалла. Я чет не улавливаю в чем вопрос. Твои 100A на тысячи проводников — это ничто.
V>>Давай еще раз и по русски. Так где, по твоему мнению, больше емкость и индуктивность соединений — в соединениях на показанном рисунке или в дорожках печатных плат. И какой порядок разницы, кстате? ))) V>>А то попахивает уже юлениями, сорри. K>Емкость прямо пропорционально перекрывающейся площади линий (она больше у многослойных мамок, порядок величин ~10^-6 м^2 против ~10^-12 м^2 внутри чипа), и обратно пропорциональна расстоянию между обкладками (оно меньше внутри чипа, порядок ~10^-6 м против ~10^-3 м). НО — в мамке больше места, и посему всегда можно свести перекрывающуюся площадь если и не к нулю, то где-то очень близко, в то время как внутри чипа с местом обычно проблемы.
На рисунке примерно правильно показано, что параллельные проводники разносят по разным "этажам".
Хотел тебе показать разницу физразмеров, но ты и сам привел. Итого емкость проводников в чипе на 3 порядка меньше. Индуктивность меньше на 1-2 порядка.
V>>- На каждый конечный блок из тысяч надо не так уж много питания. K>Очевидно зависит от блока
И? Я пока не понял твоё виденеи проблемы (уже говорил). Разве сложно все более толстые шины делать все более тонкими по мере подхода к конечному потребителю? На печатных платах же аналогично.
V>>- Посмотри на рисунок еще раз. Некоторые проводники можно сделать сплошными-"многоэтажными". Более того, питающие линии вполне можно организовать в "витую" пару и вообще как угодно. K>Всё равно их размеры очень малы (как я сказал выше, порядок десятков мкм максимум).
И как это решено прямо сейчас на одном из 464-х питающих контактов?
V>>- в итоге, "толщина" линий нужна лишь извне, и запросто питающие шины могут быть частью конструктива гибрида. K>Их надо будет тогда так же много, как и есть сейчас.
4 сотни содинений — это не много.
V>>У GaAs хреновато с чистотой и однородностью материала на сегодня... Ну дык, у кремния тоже когда-то было так себе, пока качественно ионизировать прямо по месту не научились. K>У кремния есть охренительнейшее преимущество — его широчайшая распространённость в природе. С остальными п/п всё совсем не так радужно.
Тут как-то приводились цены на полный цикл производства. Знаешь, собственная стоимость полупроводника далеко не основные затраты, будь хоть этот полупроводник по цене золота.
V>>Ток утечки, помимо всего, зависит от приложенного обратного напряжения и "крутости" кривой открытия перехода. Например, для работы токового ключа германию надо порядка 0.3-0.4 В для полного открытия, но для полевого — порядка 0.12В. А токи утечки на этих напряжениях разнятся на порядки. K>У германия ширина ЗЗ где-то вдвое меньше кремния. Но собственная проводимость у него выше, потому в утечке преобладают собственные (неосновные) носители.
У германия кривая открытия очень пологая, начинается уже примерно на 0.12В. Чтобы получить 0.3В, это должен течь ощутимый ток по переходу. А в полевой технологии ощутимых токов в каждом транзисторе не надо, там все токи — сугубо емкостные. Просто транзисторов миллиард.
V>>Ага, а потери мощности пропорциональны квадрату приложенного напряжения. V>>Кароч, если бы было всё так просто, как ты рассуждаешь... K>Ну где-то так оно и есть...
Ну так если будет возможность приложить в 4 раза меньшее напряжение, то при прочих равных это будет в 16 раз меньшее потребление.
V>>Еще нет. Для растянутого (напряженного) кремния на германии — порядка 8нм предел, т.к. подвижность выше. Для спавов кремния-германия — еще в 3-4 раза. K>Всё равно это не назвать принципиальным прорывом.
Да ХЗ...
В сравнении с предсказанным давно ограничением принципиальным для кремния на ~15нм (из-за низкой затем достоверности срабатывания), это прорыв.
V>>Ну вот как раз в объемной кристаллической решетке кремния-германия образуются туннельные точки вокруг атомов германия. Еще в 2005-м об этом на весь мир звиздела IBM и предрекала "новую эру". И че-то тишина до сих пор... Так же как Интелл пока делают на напряженном кремнии, K-изоляторах и прочей попсе, продляющей агонию кремний-онли технологий. См. первый абзац этого поста... Абыдно.
K>Ну поглядим. Интел сотоварищи постепенно загоняют себя в угол, потому им придётся найти какую-то выход из ситуации
Интел гребет бабки и старается постоянно быть впереди всех ровно на столько, насколько надо и не более. К тому же сейчас еще один рынок открылся — мобильный. Там тоже есть где сливки снять перед вложениями в следующее поколение.
V>>Ну вот у тебя 300мм пластина. Сколько с нее выйдет устройств? K>Зависит от брака Хотя вон Интел строит (построил?) Фаб42 на 450 мм пластинах — там места больше
Да просто сама 300мм пластина под 3 тыщ $$. А как же "маржа"? Т.е. вопрос был: на какое кол-во готовых чипов раскидывать затраты?
Это я к тому, что дальнейшее увеличение площади каждого кристалла — плохой выход. Надо наоборот — много кристаллов на пластине.
ХЗ. Такими темпами ни до чего более-менее интересного не доживем.
В мире всего несколько фирм и единицы заводов, которые умеют современный процесс, остальным еще долго и нудно подтягиваться. Поэтому лидеры будут отрываться от массовки лишь по мере надобности. Такое ощущение, что текущее статус-кво всех устраивает.
Здравствуйте, Ночной Смотрящий, Вы писали:
НС>Я понимаю, что ты увлекаешься очень игроделием, но видеокарты и десктоп это далеко не одно и тоже. Если есть конкретные доводы касательно основной памяти — давай обсудим, а доказательства по аналогии мне не интересны.
Разумеется, есть. Я просто помню историю — вспомнишь, откуда появились DDR2/3? Так вот, там, откуда они появились, уже DDR5
Здравствуйте, koandrew, Вы писали:
K>Возражения очень простые — уже в Р4 радиатор садился непосредственно на кристалл (через термоинтерфейс акак термопасту).
В Р3. Первых две буквы в FCPGA это Flip Chip. А в Р4 чип уже закрыли крышкой и конструкция сохранилась в неизменном виде вплоть до сегодняшнего дня.
K>...ценой увеличения количества проводящих дорожек на кристалле, которые не только очень дорого разводить, но и приводят к увеличению слоёв металла в структуре кристалла
Ужас то какой. Только вот почему то сделать многосотразрядную шину внутри кристалла давно уже сумели, а вот соорудить такое на текстолите почему то пока ни у кого решимости не хватило, наоборот стараются на последовательные интерфейсы перейти.
K>паразитных индуктивностей и ёмкостей (надеюсь, понятно, почему — ты же помнишь физику 10 класса)
Ну раз у тебя с физикой все хорошо, то вопрос — где паразитные емкости и индуктивности больше — на внутренних шинах чипа или на внешних шинах на текстолите?
K>. Помимо этого, в местах контакта MDM возникает шанс туннельного эффекта из-за уменьшения ширины запрещённой зоны в структуре полупроводника, который приводит к повышенному тепловыделению, уменьшению КПД системы в целом и прочим неприятным эффектам.
Барьерный металл в каком году придумали, не напомнишь?
Здравствуйте, koandrew, Вы писали:
K>Эволюционно: по мере увеличения кол-ва элементов придётся увеличивать прощадь кристалла. Это приводит в большему проценту брака, но других способов я пока не вижу — уменьшать техпроцесс дальше уже безумно трудно.
При этом неоднократно примененный Интелом способ вывернуться — многочиповые процессоры — ты почему то упорно игнорируешь. Да, пока техпроцесс уменьшается, поэтому на очередном шаге Интел возвращается к одночиповому дизайну. Но если, как вы оба утверждаете, кремниевая технология уже на пределе, то многочиповые решения станут доминирующими.
Здравствуйте, vdimas, Вы писали:
V>В большинстве почти топовых процов частоты немногим больше 3ГГц.
То есть как это? Топовый Интел на последней технологии имеет частоту 3.9ГГц на десктопе (3770) и 4.1ГГц на сервере (1290V2). Топовый АМД — 4.3ГГц (4350). Это, мне кажется, заметно больше 3ГГц, не?
V> А если выше, то в режиме какого-нить турбо
Только в режиме этого турбо процессор де факто проводит большую часть своего времени. Впрочем, у AMD и без турбы 4.2ГГц.
V>У меня до 4.4 ГГц устойчиво работает и чё?
А то, что Р4 существенно выше 3ГГц не работал даже с навороченным охлаждением.
Здравствуйте, koandrew, Вы писали:
K>Нет — чистый кремний и есть полупроводник уже сам по себе
И кто то тут про учебник физики рассказывал? Чистый кремний — изолятор. Носитель зарядов в нем образуются только при наличии дефектов кристаллической решетки.
Здравствуйте, koandrew, Вы писали:
K>Разумеется, есть. Я просто помню историю — вспомнишь, откуда появились DDR2/3?
Вопрос непонятен.
K> Так вот, там, откуда они появились, уже DDR5
И что? Ты продолжаешь попытки доказательств по аналогии? Не надо. Лучше ответь на простой вопрос — почему нельзя ичпользовать последовательную шину для связи процессора и DRAM?
Здравствуйте, quwy, Вы писали: Q>Изгибы всегда будут. При монтаже, при коммутации разъемов и слотов, при перегрузках.
Интересует лишь радиус этих изгибов относительно компонент.
Q>>>Опять же опыт китайских "залипук" подтверждает. V>>Та смола — не такой пластик. Q>Это не важно, ваш космический чудо-пластик тоже не карбид вольфрама.
Важно-важно. Разброс кач-ва у пластиков очень заметный. Например, наши микросхемы были менее надежные, чем западные, исключительно из-за пластика их корпусов. Так-то по полупроводниковым технологиям мы практически не отставали (или отставали весьма неначительно). Но из-за этой ненадежности микросхем по причине кач-ва пластика, тень упала именно на полупроводниковую промышленность. Ууупс???
Q>>>В процессорах давно используется медь, это раз. Разводка плат алюминиевой вообще никогда не была, это два. V>>Про разводку плат речи нет. Речь об однокомпонентном соединении. Q>Про медь на самом чипе что скажете?
Если медь, то медь. Q>>>Отлично работает, и поэтому не требует никаких вмешательств. V>>Угу, именно поэтому две основные причины, по которым снижается надежность современных электронных устройств со временем: V>>- коррозия мест пайки; V>>- отрыв контактных "волосков" внутри микросхем. Q>Пруф?
А че пруф, я ремонтом электроники больше 20 лет занимаюсь. И если речь не о том, что устройство явно сожгли, а оно само сдохло от времени — то основные причины я тебе привел. Q>>>Объемного дизайна все равно не будет. V>>Уже есть. Q>Это совсем не то, чего чаете здесь вы.
Ссылку я уже давал и вообще в и-нете просто тонны инфы. Было бы желание.
V>>>>- многократное повышение надежности по итогам всех пунктов. Q>>>"Бездоказательно" (C) V>>Пока что ты ничего не опровергнул. Q>Опровергнули миллионы китайских говнодевайсов.
Ясно. Сочувствую. V>>>>Поэтому, обозримое будущее ес-но за гибридными SoC. Q>>>Да, мало нам вернуться на 20 лет назад к впаянным CPU, давайте вернемся на 40 лет, к гибридным сборкам. Q>>>
Скрытый текст
V>>Этому фото никак не 40 лет, не гони. Q>Фотографии конечно не 40 лет, а ее объекту -- почти. Вот другая сторона: Q>
А год выпуска? Таки это К284СС2А, т.е. ты показал лицевую сторону от другой микросхемы.
Мне показалось, что на первом фото пленочные конденсаторы, а я их увидел уже в конце 80-х, т.е. это 30+ лет, а не 40.
V>>Твои ЦПУ на сокетах в 80-е изначально шли не ради апгрейда, а ради ремонтопригодности всего устройства. Ты этого так и не понял. Q>А ты в свою так и не понял, что сокеты были и не ради апгрейда и не ремонтопригодности, а ради возможности комбинировать компоненты для достижения нужных характеристик.
Серьезно? Т.е. 8086-й в IBM PC или Z80 в ZX Spectrum отродясь сидели в сокетах для целей комбинирования? )))
Q>>>Динамические объекты управляются вершинными шейдерами и тоже не требуют взаимодействия. V>>Угу, управляются до 5-ти команд на вершину. )) V>>Детсад. Псево-колебание волоска еще передашь. А рантайм симуляцию некоего объемного процесса — уже нет. Q>Ага, и этот человек смеет обвинять кого-либо в технологической отсталости! То алюминий у него в современных процессорах, то шейдеры где-то на уровне DX9 застряли...
Аллюминий был упомянут с гибридами, но не суть. До половины рабочих компов сейчас сидят на DX9, потому что на WinXP, так что не умничай.
V>>А вот хрен. Pipeline сидит на общей памяти. Т.е. CPU может вмешаться на любой стадии. Более одного раза. Даже по аппаратному прерыванию или как угодно. 100 DPS — не бог весть что. Q>Уже объяснял почему это не так нужно, как вы себе представляете.
Тогда можно целиком свою мысль? Объясни, желательно непротиворечиво, зачем нам еще один компьютер рядом с совсем другой системой команд и неудобным интерфейсом?
Q>>>б. по скорости им до внешних как до Луны раком. V>>Это вопрос уровня встроенных GPU, а не самого принципа. Встраивают пока начального уровня. Q>А вы не задумывались -- почему?
Потому что для еще большего удешевления в этом сегменте. А не потому, что ты подумал.
Смотри с чего вообще этот спор начался — с того, что за ту же цену можно будет позволить себе больше, если отказаться от рассыпухи.
Q>Так я напомню свою позицию: если дать возможность комбинировать только производителю, он скомбинирует только так как ему выгодно, а не как тебе нужно.
Еще раз для танкистов — это вопрос покрытия потребностей. Пока потребности не покрыты, ты и скачешь, пытаясь выжать лишние 10% производительности. При запасе в несколько раз это будет просто смешно.
Q>Так что можете начинать радоваться отсутствию выбора уже сейчас, никогда в нетоповый процессор не будет интегрировано приличное видео.
Давай посмотрим тогда, когда окрепнет рынок планшетов, хотя бы... Чтобы там четче были градации и появились "премиум"-модели. А то неттопы — это и есть самый нижний ценовой сегмент, который можно было привести в пример в этом споре только от желания потроллить собеседников. Q>И самое печальное, что и наоборот -- не сможете вы, как сейчас, купить для бюджетного сервера топовый десктопный процессор без нафиг ненужного и совсем не бесплатного топового видео (а серверные процессоры будут продаваться по совсем другой цене, как и сейчас).
Когда ты закончишь это заламывание рук?
Топовые по меркам 5 лет назад картейки (действительно топовые!!!), стоят сейчас меньше $40. Тебе мысль дальше развивать или ты уже сам понял, что неправильно используешь слово "топовый"? Ты всё время забываешь про причину №1 — заведомое покрытие и возможность это покрытие себе позволить по экономическим соображениям. Это значит, что в кристалл пойдет такая видюха, которая будет и так недорогая. Так что, ничего ощутимого ты не переплатишь, скорее — наоборот, т.к. в виде одного компонента будет дешевле.
Ну и опять же — твоё упорство относительно отдельной видюхи не позволяет работать твоему воображению. Векторын модули, будучи доступны центральному процу непосредственно, могут быть полезны серверу не меньше десктопа. Вот такие дела.
Здравствуйте, Ночной Смотрящий, Вы писали:
НС>То есть как это? Топовый Интел на последней технологии имеет частоту 3.9ГГц на десктопе (3770) и 4.1ГГц на сервере (1290V2). Топовый АМД — 4.3ГГц (4350). Это, мне кажется, заметно больше 3ГГц, не?
75 МГц были заметно больше 66?
А 333 в сравнении с 66? А 500 vs 66?
ИМХО, с 3.4 ГГц в 2002-м до 3.9 ГГц в 2012-м — это незаметно.
НС>А то, что Р4 существенно выше 3ГГц не работал даже с навороченным охлаждением.
Я так и не понял, где у тебя находится "существенно". В 2002-м вышли пни со штатной частотой 3.4 ГГц и гонялись до 4 ГГц аж бегом. 10 лет назад.
