Здравствуйте, koandrew, Вы писали:
V>>Тогда уж, без обид, не для средних умов. Хочешь услышать подробности — сначала велкам возражения. Глядишь при их формулировании придется тебе пробежаться по интернету с пользой для себя. K>Возражения очень простые — уже в Р4 радиатор садился непосредственно на кристалл (через термоинтерфейс акак термопасту).
Вот здесь в точку! Именно по выходу P4 было сказано, что подобная система охлаждения устарела. (Хотя не совсем на кристалл, см в разрезе)
И именно после выхода 4-го пня частоты уже не растут. Что тогда было чуть больше 3 ГГц, что сейчас примерно столько же, спустя 10 лет. В первую очередь из-за того, что используется тот же принцип охлаждения.
V>>Как раз вокруг тепловыделения всё и будет происходить в обозримом будущем. В общем, фишка в том, что в перспективе эффективными смогут быть только те системы охлаждения, которые интегрированы в кристалл, а это, в свою очередь требует "стыковки" с остальной "инфраструктурой" охлаждения. Поэтому гоу еще раз на тот пост и медитировать. K>То есть ты предлагаешь проложить каналы водяной (или ещё какой closed-loop жидкостной, потому что воздушная не будет работать по, надеюсь, понятным причинам) системы охлаждения прямо внутри кристалла? Ты хотя бы приблизительно представляешь себе размеры этих каналов, и физику жидкостей в них?
1. Это будет не кремний, с его никакой теплопроводностью, а фактически металл (типа легированного германия или арсенида галлия).
2. "Жидкость" — жидкий сплав, решетка охлаждающих стержней, проходящих сквозь кристалл, может быть необязательно в виде жидкости.
3. При объемном дизайне другого выхода просто нет.
4. Физика жидкостей — это уровень 0 проблем. Кристалл должен не сгореть на старте, т.е. процесс рассеивания тепла должен будет контроллироваться совсем не так, как сейчас, а надо будет "вести за ручку" процессы выхода на рабочие режимы.
Далее скипнул пункты, по котрым не было возражений, по остальным ответил.
V>> — уменьшение количества сварных и паянных соединений в расчете на одну контактную площадку БИС; K>...ценой увеличения количества проводящих дорожек на кристалле, которые не только очень дорого разводить,
Дешевле гораздо, чем общие затраты на разводку аналогичных дорожек по печатной плате + все технологические процессы, связанные с пайкой/сваркой порядка 5-ти промежуточных проводников.
У того же Бульдозера от AMD порядка 20-ти этажей объемного дизайна дорожек (на иллюстрации показано порядка 5-ти, но это лишь иллюстрация).
Ну добавится еще порядка 2-3-х слоёв той разводки, которая сейчас на материнке и чо? К тому же, этим дорожкам предполагается отводить далеко не самое последнее место в общей процедуре охлаждения в будущем.
K>но и приводят к увеличению слоёв металла в структуре кристалла, что чревато увеличением переходных сопротивлений (из-за ограниченной площади сечения проводника, особенно актуально для силовых линий), паразитных индуктивностей и ёмкостей (надеюсь, понятно, почему — ты же помнишь физику 10 класса).
Я-то помню, а ты помнишь?
Для тебя дорожка в несколько миллиметров обладает большей индуктивностью, чем десяток см той же самой дорожки на печатной плате? Я правильно тебе понял?
Про силовые линии вообще садись — два. Мало того, что их можно сделать произвольного требуемого сечения, выполняя конструктивно как индукивные и емкостные фильтры только за счет форм проводников, дык рассеиваемое на них тепло и потери в виде излучения напрямую зависят от их длины. Чем короче — тем лучше.
K>Помимо этого, в местах контакта MDM возникает шанс туннельного эффекта из-за уменьшения ширины запрещённой зоны в структуре полупроводника, который приводит к повышенному тепловыделению, уменьшению КПД системы в целом и прочим неприятным эффектам.
Еще раз, мы обсуждаем сугубо ту разводку, которая сейчас на материнке. Считай, что кол-во исходных выводов у кристалла точно такое же. Насчет ширины запрещенной зоны — это тоже больной вопрос кремния и то, почему я считаю, что чистый кремний тормозит прогресс — невозможно опустить напряжение ниже ~0.7-0.8В.
И да, для полевой технологии ключей снижение запрещенной зоны не так болезненно как для токовой. Все твои токи — это токи утечки и рассеяния энергии в виде электромагнитного поля. Так вот сейчас процессор раскачивает нехилые "антенны" на каждой своей выходной ноге. А надо, чтобы не раскачивал.
V>> — снижение значений переходных сопротивлений, паразитных индуктивностей и емкостей; K>См выше — утверждение нуждается в доказательстве
См. как найти сопротивление, емкость и индуктивность проводника.
V>> — улучшения условий отвода теплоты при установке кристалла непосредственно на теплоотводящий пьедестал; K>эта проблема, наоборот, усугубится, потому что кристалл в целом будет выделять больше тепла (из-за большего кол-ва элементов на структуре).
Понимаешь, коллега. Их и так будет больше. Хотя тактовая не растет, но рост кол-ва транзисторов всё еще почти подчиняется законам Мура. Пока получается снижать потребление за счет снижения токов утечек (за счет всё большей миниатюризации процесса). Для чистого кремния предел в 10-15нм, затем свободных зарядов не хватает для обеспечения достоверности срабатывания ключей.
В общем, мы тут, как я вижу, обсуждаем не только несколько кристаллов на гибриде, но и вообще всё вместе на один кристалл, так? В любом случае, оба этих сценария — это следующие витки даже в сравнении с обсуждаемой запайкой проца на мать, т.е. ХЗ когда они будут. Я уверен, что от чистого кремния к тому моменту уже уйдут, т.е. многие твои представления устареют. Например, даже выращенный кристалл из кремния и германия уже позволяет опустить ширину запрещенной зоны до 0.1-0.2В, а это, считай, сразу можно увеличить кол-во ключей в 4-8 раз на той же тактовой.
V>> — снижения механических напряжений в кристалле БИС и за счет небольшой массы. K>Это в основном технологическая проблема, а не эксплутационная — потому что готовые кристаллы слишком малы, чтобы эти эффекты как-то себя проявляли. Да и вообще, кремний — довольно прочный элемент.
Тем не менее, выход из строя микросхем по большей части имеет механическую причину. Не зря в сценариях повышенной надежности используют не пластик, а керамику/металл для корпусов.
K>Ваши данные устарели, т.к. сейчас повсеместно для соединительных слоёв внутри стуктуры кристалла используют медь, возьфрам, поликремний, для контактных окон — хром, медь, золото.
Гибриды всё еще на аллюминии по большей части. А на какой технологии будут кристаллы сверху гибрида — второй вопрос.
Конкретный металл вообще не важен, важно, что не будет столько паянных соединений м/у разными металлами — гибрид или кристалл вполне можно сделать на одной технологии.
V>> — доступен объемный дизайн, т.е. дополнительное сокращение суммарной длины всех проводников и суммарной мощности взаимно-наводимых помех; K>Он и так доступен сейчас.
В материнках сильно ограничен кол-вом слоёв и вообще габаритами корпусов. Десяток см для проводника — это на сегодня приговор.
Еще еще вариации на тему оптики, ес-но, но сдается мне, что с памятью по оптике работать — это из пушки по воробьям, т.е. вряд ли даже в отдаленном будущем такое будет.
V>> — многократное повышение надежности по итогам всех пунктов. K>См. выше — проблем у подхода масса.
И? Объеденить память, проц и видюху прямо на сегодня будет означать увеличение транзисторов в ~4-5 раз на одном кристалле. А оно в любом случае так будет через ~7-8 лет, даже без объединения, в каждом компоненте в отдельности. И проблемы надо будет как-то решать. Твои предложения?
Здравствуйте, Eugeny__, Вы писали:
E__>Хотя, ты в чем цены приводил? Если в рублях, то как-то маловато для цены сервака получается. Даже если по 12к в месяц.
Все в рублях:
12к это за 4Мбита, а нам надо 100 (5 человек по 20Мбит). Пускай даже за объемы разделим сумму на 2, и ещё на 2 если долго договариваться с провайдерами — 75к в месяц. Сервак на 8 ядер (без гипертрединга), 72ГБ оперативы — ну 250к. За год такого подключений получается почти 4 сервака.
Здравствуйте, Eugeny__, Вы писали:
aik>>>>ну, для меня нормальная работа — это 24 ядерный сервак (или это 6 с гипертредингом? фиг знает) с 72gb памяти, на который я (и еще четверо чуваков) хожу с ноута ssh'ем+screen и уже там тремя vim'ами с парой gdb делаю свою работу. ядро компилится — мое почтение. колупаться на ноуте или личном десктопе — чота не вперает. aik>>>>а по твоему что такое нормальная работа? D>>>Хоть это и не мне вопрос и я вообще не в тему вякну, но тем не менее: таки через ssh — не комильфо. aik>>неее. удаленно в большинстве случаев rdp будет похабно лагать. я прочувствовал. E__>Ага. То есть, на 24-ядерный сервак с 72 гектарами памяти, значит, деньги есть.
наша контора их и выпускает
E__>А на хотя-бы плохонький, мегабит 20, канал до него(уже на 20 мегабитах тормозов нет никаких, при 50 и выше любой удаленный десктоп неотличим от локального вообще) — не сложилось?
это больная мозоль австралии — провести в дом что то лучше чем обычный adsl — нереально.
и rdp легко отличим от нормального десктопа даже на 100мегабитной локалке, хотя работать, конечно, можно.
Здравствуйте, vdimas, Вы писали:
V>Угу, управляются до 5-ти команд на вершину. )) V>Детсад. Псево-колебание волоска еще передашь. А рантайм симуляцию некоего объемного процесса — уже нет.
Ой-ой-ой. Вот тут ты круто лоханулся. Твои данные устарели как минимум лет на 8. Просвещайся: http://msdn.microsoft.com/en-us/library/windows/desktop/ff471356(v=vs.85).aspx
Сейчас целые физические симуляции делают 100% на GPU вообще без участия ЦП. Я занимаюсь разработкой графического движка на DX11, потому могу тебе сказать, что технологии здесь шагнули очень далеко вперёд. Современные шейдеры даже ООП поддерживают — а ты "5 команд на вершину"
Здравствуйте, vdimas, Вы писали:
V>Его придумали более 50 лет назад, так что давай ближе к телу. Ты уже по второй теме что-то скромно бурчишь и потом виляешь.
Ну твоё незнание матчасти в области возможностей современных графических карт мы уже установили. Посему эту подветку можно заканчивать — тут всё понятно. В соседней вроде поинтереснее дискуссия пока идёт...
Здравствуйте, vdimas, Вы писали:
V>Вот здесь в точку! Именно по выходу P4 было сказано, что подобная система охлаждения устарела. (Хотя не совсем на кристалл, см в разрезе) V>И именно после выхода 4-го пня частоты уже не растут. Что тогда было чуть больше 3 ГГц, что сейчас примерно столько же, спустя 10 лет. В первую очередь из-за того, что используется тот же принцип охлаждения.
Частоты современных процессоров достигают 4.1 ГГц на "воздушке" (у меня дома в компе проц работает на этой частоте, Intel 3930К) и >5 ГГц на более продвинутых системах охлаждения.
V>1. Это будет не кремний, с его никакой теплопроводностью, а фактически металл (типа легированного германия или арсенида галлия).
Вот тут почитай про недостатки и преимущества GaAs по сравнению с кремнием. К примеру, у кремния выше теплопроводность
V>2. "Жидкость" — жидкий сплав, решетка охлаждающих стержней, проходящих сквозь кристалл, может быть необязательно в виде жидкости.
Жидкости, как правило, обладают большей теплоёмкостью, а также их можно физически убрать из зоны нагрева, "убрав" тепло вместе с ними. Потому жидкостное охлаждение более эффективно. V>3. При объемном дизайне другого выхода просто нет.
Что ты подразумеваешь под объёмным дизайном? Кристаллы с несколькими рабочими стуктурами, или отдельные чипы, расположенные поверх друг друга? В любом из этих случаев жидкостное охлаждение предпочтительнее.
V>4. Физика жидкостей — это уровень 0 проблем. Кристалл должен не сгореть на старте, т.е. процесс рассеивания тепла должен будет контроллироваться совсем не так, как сейчас, а надо будет "вести за ручку" процессы выхода на рабочие режимы.
Это не проблема, если удастся как-то обеспечить нормальный ток жидкости по каналам охлаждения. Никто не мешает поставить чип на "мамку" (отдельный), который сначала запустит охлаждение, а уже только потом — сам чип.
V>Дешевле гораздо, чем общие затраты на разводку аналогичных дорожек по печатной плате + все технологические процессы, связанные с пайкой/сваркой порядка 5-ти промежуточных проводников. V> V>У того же Бульдозера от AMD порядка 20-ти этажей объемного дизайна дорожек (на иллюстрации показано порядка 5-ти, но это лишь иллюстрация).
V>Ну добавится еще порядка 2-3-х слоёв той разводки, которая сейчас на материнке и чо? К тому же, этим дорожкам предполагается отводить далеко не самое последнее место в общей процедуре охлаждения в будущем.
Ну смотри. У меня, к сожалению, нет под рукой моих универских лекций, где этот вопрос изучался более обстоятельно, посему придётся тебе довольствоваться википедией — в современных процах больше половины (а в отдельных случаях — больше двух третей) контактов используются для передачи питания (вот тут говорят, что в LGA775 464 контакта используются для питания (около 60%).
V>Я-то помню, а ты помнишь? V>Для тебя дорожка в несколько миллиметров обладает большей индуктивностью, чем десяток см той же самой дорожки на печатной плате? Я правильно тебе понял?
Нет, они обдалают куда большей ёмкостью, что также плохо, как и индуктивность, но, в отличие от случая с печатными платами, не лечится никак.
V>Про силовые линии вообще садись — два. Мало того, что их можно сделать произвольного требуемого сечения, выполняя конструктивно как индукивные и емкостные фильтры только за счет форм проводников, дык рассеиваемое на них тепло и потери в виде излучения напрямую зависят от их длины. Чем короче — тем лучше.
Нет, сопротивление зависит от площади поперечного сечения, а она внутри кристалла обычно очень мала из-за технологических ограничений. А то, что контактов питания у процов очень много, как бы намекает, что питание лучше подводить извне кристалла, а не изнутри.
V>Еще раз, мы обсуждаем сугубо ту разводку, которая сейчас на материнке. Считай, что кол-во исходных выводов у кристалла точно такое же. Насчет ширины запрещенной зоны — это тоже больной вопрос кремния и то, почему я считаю, что чистый кремний тормозит прогресс — невозможно опустить напряжение ниже ~0.7-0.8В.
Мимо — перспективный GaAs имеет ещё более широкую запрещённую зону. И это хорошо — потому что чем шире эта зона, тем менее вероятно туннелирование с затвора транзистора в канал, что и является одной из основных причин тока утечки. Кстати, вторая причина тока утечки — собственная проводимость — опять же снижается при расширении запрещённой зоны.
V>Понимаешь, коллега. Их и так будет больше. Хотя тактовая не растет, но рост кол-ва транзисторов всё еще почти подчиняется законам Мура. Пока получается снижать потребление за счет снижения токов утечек (за счет всё большей миниатюризации процесса). Для чистого кремния предел в 10-15нм, затем свободных зарядов не хватает для обеспечения достоверности срабатывания ключей.
Уменьшение техпроцесса уже почти достигло своего лимита. Качественный скачёк намечается в области полевых туннельных транзисторов — если их научатся делать достаточно малыми, то они позволят уменьшить энергопотребление в порядка 100 раз.
V>В общем, мы тут, как я вижу, обсуждаем не только несколько кристаллов на гибриде, но и вообще всё вместе на один кристалл, так?
Дык ты же проде про SoC говорил? Или я чего-то попутал?
V>В любом случае, оба этих сценария — это следующие витки даже в сравнении с обсуждаемой запайкой проца на мать, т.е. ХЗ когда они будут. Я уверен, что от чистого кремния к тому моменту уже уйдут, т.е. многие твои представления устареют. Например, даже выращенный кристалл из кремния и германия уже позволяет опустить ширину запрещенной зоны до 0.1-0.2В, а это, считай, сразу можно увеличить кол-во ключей в 4-8 раз на той же тактовой.
Ширина запрещённой зоны не имеет (почти) никакого отношения к физическим размерам перехода — это энергетическая характеристика.
V>Тем не менее, выход из строя микросхем по большей части имеет механическую причину. Не зря в сценариях повышенной надежности используют не пластик, а керамику/металл для корпусов.
Потому что в подавляющем большинстве случаев повреждается корпус, а, следовательно, и те самые "золотые волоски", которые соединяют КП чипа с контактами.
V>Гибриды всё еще на аллюминии по большей части. А на какой технологии будут кристаллы сверху гибрида — второй вопрос.
О каких гибридах идёт речь?
V>И? Объеденить память, проц и видюху прямо на сегодня будет означать увеличение транзисторов в ~4-5 раз на одном кристалле. А оно в любом случае так будет через ~7-8 лет, даже без объединения, в каждом компоненте в отдельности. И проблемы надо будет как-то решать. Твои предложения?
Предсказывать, конечно, дело неблагодарное, но я попробую.
Эволюционно: по мере увеличения кол-ва элементов придётся увеличивать прощадь кристалла. Это приводит в большему проценту брака, но других способов я пока не вижу — уменьшать техпроцесс дальше уже безумно трудно. Уже сейчас видеочипы используют довольно большой по площади кристалл, и проблема тепловыделения "решена" пониженными частотами видеочипа. То есть движуха будет направлена в основном в сторону увеличения параллелизма вычислений.
Революционно: я всё-таки возлагаю большие надежды на туннельные транзисторы. Если эту технологию удастся допилить до уровня промышленного применения, то это очень круто поменяет всю электронику вокруг нас — в частности, ноуты, которые смогут работать сутками напролёт без перезарядки, а уж про мобилы и говорить нечего
Здравствуйте, koandrew, Вы писали:
V>>Угу, управляются до 5-ти команд на вершину. )) V>>Детсад. Псево-колебание волоска еще передашь. А рантайм симуляцию некоего объемного процесса — уже нет. K>Ой-ой-ой. Вот тут ты круто лоханулся. Твои данные устарели как минимум лет на 8. Просвещайся: http://msdn.microsoft.com/en-us/library/windows/desktop/ff471356(v=vs.85).aspx
K>Сейчас целые физические симуляции делают 100% на GPU вообще без участия ЦП. Я занимаюсь разработкой графического движка на DX11, потому могу тебе сказать, что технологии здесь шагнули очень далеко вперёд. Современные шейдеры даже ООП поддерживают — а ты "5 команд на вершину"
Это ты просто живешь в параллельной игровой вселенной. А в реальности, увы, далеко не у всех стоят картейки, которые это позволяют. В львиной доле современных рабочих компов те же 5 команд на вершину и всё.
Здравствуйте, vdimas, Вы писали: Q>>Да-да, залипуки под компаундом, хорошо знакомые по дешевому китайскому ширпотребу. Раньше только кустарные подвалы делали, теперь мы дождались этого и от остальных. Кто-то что-то говорил про надежность, вроде? V>Компаунд — это либо легкоплавкие "смолы", такой температуры плавления, чтобы припой не "убежал", либо вообще резина с катализатором вулканизации при комнатных темературах. Когда же речь пойдет о микросварке или анодировании контактов на SoC, то можно будет пользовать качественные полимеры.
Ничего это не изменит. Китайский компаунд доже очень прочный, но это не мешает ему отрываться от платы вместе с кристаллом. V>>>Помимо этого: V>>>- уменьшение массогабаритных характеристик; Q>>В случае десктопа масса уменьшается на 0.01%, а габариты -- на 0.00%. А в недесктопе процессоры давно запаяны, так что для них ничего не изменится. V>Популярные размеры десктопов тоже уменьшаются, вот в чем фишка. Ну и не забываем про неожиданный рост рынка all-in-one-pc.
Рынок all-in-one-pc сейчас в микроскоп не видно (если не считать готовых на ради логотипа все яблочников). V>>>- уменьшение количества сварных и паянных соединений в расчете на одну контактную площадку БИС; Q>>Странное утверждение. Одна контактная площадка требует строго одного соединения. V>Гы-гы.
Извольте изъясняться точнее. Если бы не ваш сторонник в этой ветке, так бы и не понял что эта фраза значит. V>>>- снижение значений переходных сопротивлений, паразитных индуктивностей и емкостей; Q>>А так же дает возможность навязать пользователю все что угодно. V>Не в тему.
Как же? Маркетинг ныне важнее инжиниринга, а здесь инженерное решение явно сделано в угоду маркетингу. V>>>- улучшения условий отвода теплоты при установке кристалла непосредственно на теплоотводящий пьедестал; Q>>Пьедестал не спасет от сотни ватт, никуда внешний кулер с нормального процессора не денется. V>Только специальный пьедестал со встроенной системой охлаждения и спасет. Современные системы охлаждения были признаны устаревшими еще во времена 4-го пня.
И как ж это будет выглядеть? Чем "встроенная система охлаждения" принципиально отличается от "современных систем охлаждения". V>>>- снижения механических напряжений в кристалле БИС и за счет небольшой массы. Q>>Крайне спорно. Любой изгиб платы передается непосредственно кристаллу. V>Не будет изгиба.
Изгибы всегда будут. При монтаже, при коммутации разъемов и слотов, при перегрузках. Q>>Опять же опыт китайских "залипук" подтверждает. V>Та смола — не такой пластик.
Это не важно, ваш космический чудо-пластик тоже не карбид вольфрама. Q>>В процессорах давно используется медь, это раз. Разводка плат алюминиевой вообще никогда не была, это два. V>Про разводку плат речи нет. Речь об однокомпонентном соединении.
Про медь на самом чипе что скажете? Q>>Отлично работает, и поэтому не требует никаких вмешательств. V>Угу, именно поэтому две основные причины, по которым снижается надежность современных электронных устройств со временем: V>- коррозия мест пайки; V>- отрыв контактных "волосков" внутри микросхем.
Пруф? V>>>- доступен объемный дизайн, т.е. дополнительное сокращение суммарной длины всех проводников и суммарной мощности взаимно-наводимых помех; Q>>Объемного дизайна все равно не будет. V>Уже есть.
Это совсем не то, чего чаете здесь вы. V>>>- многократное повышение надежности по итогам всех пунктов. Q>>"Бездоказательно" (C) V>Пока что ты ничего не опровергнул.
Опровергнули миллионы китайских говнодевайсов. V>>>Поэтому, обозримое будущее ес-но за гибридными SoC. Q>>Да, мало нам вернуться на 20 лет назад к впаянным CPU, давайте вернемся на 40 лет, к гибридным сборкам. Q>>
Скрытый текст
V>Этому фото никак не 40 лет, не гони.
Фотографии конечно не 40 лет, а ее объекту -- почти. Вот другая сторона: V>Твои ЦПУ на сокетах в 80-е изначально шли не ради апгрейда, а ради ремонтопригодности всего устройства. Ты этого так и не понял.
А ты в свою так и не понял, что сокеты были и не ради апгрейда и не ремонтопригодности, а ради возможности комбинировать компоненты для достижения нужных характеристик. V>>>Вот я тебя и спросил — какой нафик "один раз" при 100 DPS в динамических сценах из сотен миллионов (в перспективе) полигонов? Q>>Что такое DPS? Полигоны лежат в видеопамяти, их не нужно передавать постоянно, будь их хоть триллион. V>Обязательно нужно для динамических сцен.
Не нужно. Q>>Динамические объекты управляются вершинными шейдерами и тоже не требуют взаимодействия. V>Угу, управляются до 5-ти команд на вершину. )) V>Детсад. Псево-колебание волоска еще передашь. А рантайм симуляцию некоего объемного процесса — уже нет.
Ага, и этот человек смеет обвинять кого-либо в технологической отсталости! То алюминий у него в современных процессорах, то шейдеры где-то на уровне DX9 застряли... V>А вот хрен. Pipeline сидит на общей памяти. Т.е. CPU может вмешаться на любой стадии. Более одного раза. Даже по аппаратному прерыванию или как угодно. 100 DPS — не бог весть что.
Уже объяснял почему это не так нужно, как вы себе представляете. Q>>б. по скорости им до внешних как до Луны раком. V>Это вопрос уровня встроенных GPU, а не самого принципа. Встраивают пока начального уровня.
А вы не задумывались -- почему? Так я напомню свою позицию: если дать возможность комбинировать только производителю, он скомбинирует только так как ему выгодно, а не как тебе нужно. Так что можете начинать радоваться отсутствию выбора уже сейчас, никогда в нетоповый процессор не будет интегрировано приличное видео. И самое печальное, что и наоборот -- не сможете вы, как сейчас, купить для бюджетного сервера топовый десктопный процессор без нафиг ненужного и совсем не бесплатного топового видео (а серверные процессоры будут продаваться по совсем другой цене, как и сейчас).
Здравствуйте, vdimas, Вы писали:
V>>>Ну так возражение было про многослойки в 70-е, насколько я понял? Q>>Я не понял вообще ничего. Я говорил что многослойки все равно никуда не денутся потому что даже полный примитив типа USB-флешки требует многослойного дизайна. V>Это в технологии традиционного производства. А если взять бескорпусные элементы, то гибрид можно закрепить прямо на разъеме и залить объем пластиком.
У гибрида будет проблема: он ни на что кроме USB не годится. И тот факт, что таких гибридов [почти] нет сегодня, говорит о том, что они менее выгодны по сравнению с отдельным контроллером и отдельный памятью.
V>Собсно, доставка и занимает львиную долю сроков.
И это, типа, хорошо? Если каждую мелочь неделями ждать, жизнь закончится.
V>>>Увы, 0.125 я рейсфедером уже не нарисую, а гнать пургу самоуважение не позволяет. )) Q>>Рисовать совсем не обязательно, можно напечатать, хлорное железо тут не при чем. V>Ты уж определись, причём тут хлорное железо или нет.
Блин. Вы сказали, что не мажетесь хлорным железом потому, что дорожки 0.125 все равно руками не нарисуете. Я же сказал, что такие дорожки можно печатать принтером, но хлорного железа это никак не отменяет.
V>>>падения и просто ударов компа не выдерживает именно материнка Q>>Падения не выдерживает HDD. V>Забудь про HDD, они уже агонизируют.
Ну да, как я мог забыть. В 2000 году постоянно то же самое слышал про CRT, только "агонизировали" они еще не менее половины десятилетия.
Q>>А метеринка может сломаться только если на процессоре тяжеленный радиатор, чему там вообще ломаться при падении? V>Дорожки рвутся.
???
Это какое же должно быть ускорение, чтобы дорожки порвались?!
V>>>дык еще любая модель материнки является ограничителем конфигурации. Q>>Чего же вы так радуетесь еще большему ограничению? V>Это ты сам себе придумал. А как оно на самом деле будет — я уже сказал, см про "пластиковую хрень".
Насчет "как оно на самом будет" -- ваше оптимистическое мнение против моего реалистического. Я рад бы ошибиться, но этого не будет.
Здравствуйте, vdimas, Вы писали:
V>Это ты просто живешь в параллельной игровой вселенной. А в реальности, увы, далеко не у всех стоят картейки, которые это позволяют. В львиной доле современных рабочих компов те же 5 команд на вершину и всё.
Мимо опять. Даже встроеная графика чипсетов образца двух-трёхлетней давности полностью поддерживает Shader Profile 4.0, в которых уже имеется common shader core, и нет никаких ограничений на шейдеры.
Здравствуйте, Ночной Смотрящий, Вы писали:
НС>Но рано или поздно (скорее рано) там таки перейдут на последовательную шину (epic fail с рамбасом, видать, основательно подговнял), и тогда материнки ужмутся до ноготочных размеров.
Этого не будет. А, чтобы получить намёк на то, что будет, посмотри на организацию памяти в видеокартах...
Q>>Разводка плат алюминиевой вообще никогда не была, это два. V>Кстате, это уже второй твой залет насчет печатных плат.
Ты из армии, чтоле, пишешь? Чё за феня?
V>
V>Алюминиевые печатные платы
V>Отдельную группу материалов составляют алюминиевые металлические печатные платы. Их можно разделить на две группы.
V>Первая группа — решения в виде листа алюминия с качественно оксидированной поверхностью, на которую наклеена медная фольга. Такие платы нельзя сверлить, поэтому обычно их делают только односторонними. Обработка таких фольгированных материалов выполняется по традиционным технологиям химического нанесения рисунка.
V>Вторая группа подразумевает создание токопроводящего рисунка непосредственно в алюминии основы. Для этой цели алюминиевый лист оксидируют не только по поверхности но и на всю глубину основы согласно рисунку токопроводящих областей, заданному фотошаблоном.
В первом случае алюминий не используется для разводки (выделил жирным для танкистов), а второй случай вообще -- какая-то дикая нетехнологичная экзотика. Хоть один пример реального использования этого чуда есть?
V>Хотя я имел ввиду аллюминий как подложку гибридов Soc, ес-но, а не материал дорожек печатных плат, но твоё упрямство показательно.
Твое тоже показательно, нет алюминия в современных процессорах, так что сам же агитируешь за гетерогенные контакты медь-алюминий.
V>Кстате, аллюминиевые платы первой группы используются более чем широко... странно, что ты не в курсе, коль "пачкаешься хлорным железом уже 20 лет".
Алюминиевые платы первой группы имеют медную разводку, советую читать первую строчку этого постинга и выделенный мной фрагмент цитаты до полного просветления.
Здравствуйте, koandrew, Вы писали:
НС>>Но рано или поздно (скорее рано) там таки перейдут на последовательную шину (epic fail с рамбасом, видать, основательно подговнял), и тогда материнки ужмутся до ноготочных размеров. K>Этого не будет. А, чтобы получить намёк на то, что будет, посмотри на организацию памяти в видеокартах...
Латентность последовательной шины всегда в разы (десятки раз) выше, чем работающей на такой же частоте параллельной. Плюс не забываем про мультиплексирование/демультиплексирование, потому что как минимум сама память является матрицей и параллельна по определению. Использовать последовательный интерфейс они конечно могут (попытки уже были), вот только приведет это только к падению производительности.
Здравствуйте, koandrew, Вы писали:
K>Частоты современных процессоров достигают 4.1 ГГц на "воздушке" (у меня дома в компе проц работает на этой частоте, Intel 3930К) и >5 ГГц на более продвинутых системах охлаждения.
В большинстве почти топовых процов частоты немногим больше 3ГГц. А если выше, то в режиме какого-нить турбо (у АМД и Интелл на свой ляд называется технологии авто-отключения неработающих ядер) или посредством разгона через BIOS на свой страх и риск. У меня до 4.4 ГГц устойчиво работает и чё? В штатном режиме все-равно 3.6. А от даты выхода Northwood на 3.4 ГГц прошло 10 лет! Сравни с развитием за предыдущие 10 лет от 50МГц до этих 3.4ГГц.
V>>1. Это будет не кремний, с его никакой теплопроводностью, а фактически металл (типа легированного германия или арсенида галлия). K>Вот тут почитай про недостатки и преимущества GaAs по сравнению с кремнием. К примеру, у кремния выше теплопроводность
1. Арсенид галлия греется на намного меньше при прочих равных.
2. Аналогично, как кремниевые полупроводники получают из чистого кремния прямо в момент производства микросхем, точно так же можно наращивать на металлах требуемый полупроводниковый слой.
Про германий ты вообще скромно умолчал, хотя напряженный (растянутый) кремний делают с его помощью. А сплав (кристалл) вообще обладает уникальными св-вами в плане подвижности зарядов, сохраняя механические св-ва кремния. Тут уже можно будет продолжать снижать размеры меньше граничных для кремния 10-15нм.
V>>2. "Жидкость" — жидкий сплав, решетка охлаждающих стержней, проходящих сквозь кристалл, может быть необязательно в виде жидкости. K>Жидкости, как правило, обладают большей теплоёмкостью, а также их можно физически убрать из зоны нагрева, "убрав" тепло вместе с ними. Потому жидкостное охлаждение более эффективно. V>>3. При объемном дизайне другого выхода просто нет. K>Что ты подразумеваешь под объёмным дизайном? Кристаллы с несколькими рабочими стуктурами, или отдельные чипы, расположенные поверх друг друга? В любом из этих случаев жидкостное охлаждение предпочтительнее.
1. Много слоев (пленок) транзисторов на одном "кристалле". Уже де-факто эта технология есть.
2. Объемное расположение кристаллов на гибриде.
Т.е. и то и другое. В любом случае речь о предстоящем бОльшем выделении тепла на единицу площади. И современный подход к охлаждению для этого случая не работает.
Жидкостное охлаждение — это основа, ес-но. Но кач-ве основного теплообменного тела все-равно будет металл какой-нить, т.к. должна быть целая теплопроводящая решетка таких размеров, что жидкость уже не подойдет.
V>>4. Физика жидкостей — это уровень 0 проблем. Кристалл должен не сгореть на старте, т.е. процесс рассеивания тепла должен будет контроллироваться совсем не так, как сейчас, а надо будет "вести за ручку" процессы выхода на рабочие режимы. K>Это не проблема, если удастся как-то обеспечить нормальный ток жидкости по каналам охлаждения.
"Жидкость" должна будет сначала достичь температуры плавления, я об этом.
K>Никто не мешает поставить чип на "мамку" (отдельный), который сначала запустит охлаждение, а уже только потом — сам чип.
Вот именно для указанного случая это всё будет происходить одновременно, нагреваясь прямо от чипа.
V>>Дешевле гораздо, чем общие затраты на разводку аналогичных дорожек по печатной плате + все технологические процессы, связанные с пайкой/сваркой порядка 5-ти промежуточных проводников. V>> V>>У того же Бульдозера от AMD порядка 20-ти этажей объемного дизайна дорожек (на иллюстрации показано порядка 5-ти, но это лишь иллюстрация).
V>>Ну добавится еще порядка 2-3-х слоёв той разводки, которая сейчас на материнке и чо? К тому же, этим дорожкам предполагается отводить далеко не самое последнее место в общей процедуре охлаждения в будущем. K>Ну смотри. У меня, к сожалению, нет под рукой моих универских лекций, где этот вопрос изучался более обстоятельно, посему придётся тебе довольствоваться википедией — в современных процах больше половины (а в отдельных случаях — больше двух третей) контактов используются для передачи питания (вот тут говорят, что в LGA775 464 контакта используются для питания (около 60%).
Опять мимо. ))
Для передачи питания не надо 20 этажей разводки. И сегодня там счет контактов идет вовсе не на сотни.
V>>Я-то помню, а ты помнишь? V>>Для тебя дорожка в несколько миллиметров обладает большей индуктивностью, чем десяток см той же самой дорожки на печатной плате? Я правильно тебе понял? K>Нет, они обдалают куда большей ёмкостью, что также плохо, как и индуктивность, но, в отличие от случая с печатными платами, не лечится никак.
Давай еще раз и по русски. Так где, по твоему мнению, больше емкость и индуктивность соединений — в соединениях на показанном рисунке или в дорожках печатных плат. И какой порядок разницы, кстате? )))
А то попахивает уже юлениями, сорри.
V>>Про силовые линии вообще садись — два. Мало того, что их можно сделать произвольного требуемого сечения, выполняя конструктивно как индукивные и емкостные фильтры только за счет форм проводников, дык рассеиваемое на них тепло и потери в виде излучения напрямую зависят от их длины. Чем короче — тем лучше. K>Нет, сопротивление зависит от площади поперечного сечения, а она внутри кристалла обычно очень мала из-за технологических ограничений.
— На каждый конечный блок из тысяч надо не так уж много питания.
— Посмотри на рисунок еще раз. Некоторые проводники можно сделать сплошными-"многоэтажными". Более того, питающие линии вполне можно организовать в "витую" пару и вообще как угодно.
— в итоге, "толщина" линий нужна лишь извне, и запросто питающие шины могут быть частью конструктива гибрида.
K>А то, что контактов питания у процов очень много, как бы намекает, что питание лучше подводить извне кристалла, а не изнутри.
А вот эти медные дорожки на рисунке — они извне или внутри?
V>>Еще раз, мы обсуждаем сугубо ту разводку, которая сейчас на материнке. Считай, что кол-во исходных выводов у кристалла точно такое же. Насчет ширины запрещенной зоны — это тоже больной вопрос кремния и то, почему я считаю, что чистый кремний тормозит прогресс — невозможно опустить напряжение ниже ~0.7-0.8В. K>Мимо — перспективный GaAs имеет ещё более широкую запрещённую зону.
Подвижность зарядов электронов в 5-6 раз выше. Не зря всё СВЧ и радиотелефония на нем... Цифровая логика до 250ГГц — без проблем.
У GaAs хреновато с чистотой и однородностью материала на сегодня... Ну дык, у кремния тоже когда-то было так себе, пока качественно ионизировать прямо по месту не научились.
K>И это хорошо — потому что чем шире эта зона, тем менее вероятно туннелирование с затвора транзистора в канал, что и является одной из основных причин тока утечки.
Ток утечки, помимо всего, зависит от приложенного обратного напряжения и "крутости" кривой открытия перехода. Например, для работы токового ключа германию надо порядка 0.3-0.4 В для полного открытия, но для полевого — порядка 0.12В. А токи утечки на этих напряжениях разнятся на порядки.
(И да, про чистый германий я не говорю, но что его будет всё больше в микросхемах в виде сплавов или попеременных пленок с кремнием — факт).
K>Кстати, вторая причина тока утечки — собственная проводимость — опять же снижается при расширении запрещённой зоны.
Ага, а потери мощности пропорциональны квадрату приложенного напряжения.
Кароч, если бы было всё так просто, как ты рассуждаешь...
К тому же, зачастую используется не чистый арсенид галлия, а арсенид галлия-индия, как раз для уменьшения порогового напряжения. (в пределе до 0.3В).
V>>Понимаешь, коллега. Их и так будет больше. Хотя тактовая не растет, но рост кол-ва транзисторов всё еще почти подчиняется законам Мура. Пока получается снижать потребление за счет снижения токов утечек (за счет всё большей миниатюризации процесса). Для чистого кремния предел в 10-15нм, затем свободных зарядов не хватает для обеспечения достоверности срабатывания ключей.
K>Уменьшение техпроцесса уже почти достигло своего лимита.
Еще нет. Для растянутого (напряженного) кремния на германии — порядка 8нм предел, т.к. подвижность выше. Для спавов кремния-германия — еще в 3-4 раза.
K>Качественный скачёк намечается в области полевых туннельных транзисторов — если их научатся делать достаточно малыми, то они позволят уменьшить энергопотребление в порядка 100 раз.
Ну вот как раз в объемной кристаллической решетке кремния-германия образуются туннельные точки вокруг атомов германия. Еще в 2005-м об этом на весь мир звиздела IBM и предрекала "новую эру". И че-то тишина до сих пор... Так же как Интелл пока делают на напряженном кремнии, K-изоляторах и прочей попсе, продляющей агонию кремний-онли технологий. См. первый абзац этого поста... Абыдно.
V>>В общем, мы тут, как я вижу, обсуждаем не только несколько кристаллов на гибриде, но и вообще всё вместе на один кристалл, так? K>Дык ты же проде про SoC говорил? Или я чего-то попутал?
Ну так минимум 2 варианта — один кристалл на гибриде, или несколько кристаллов.
V>>В любом случае, оба этих сценария — это следующие витки даже в сравнении с обсуждаемой запайкой проца на мать, т.е. ХЗ когда они будут. Я уверен, что от чистого кремния к тому моменту уже уйдут, т.е. многие твои представления устареют. Например, даже выращенный кристалл из кремния и германия уже позволяет опустить ширину запрещенной зоны до 0.1-0.2В, а это, считай, сразу можно увеличить кол-во ключей в 4-8 раз на той же тактовой. K>Ширина запрещённой зоны не имеет (почти) никакого отношения к физическим размерам перехода — это энергетическая характеристика.
При чем тут размер-то??? Речь об энергетическом бюджете. Сейчас быстродействие ограничивается тепловыделением и ничем больше. Обычные пни гоняются до почти 10ГГц, будучи охлажденными жидким гелием.
V>>Тем не менее, выход из строя микросхем по большей части имеет механическую причину. Не зря в сценариях повышенной надежности используют не пластик, а керамику/металл для корпусов. K>Потому что в подавляющем большинстве случаев повреждается корпус, а, следовательно, и те самые "золотые волоски", которые соединяют КП чипа с контактами.
Корпус повреждается из-за неравномерного нагрева в т.ч. Поэтому сначала нарушение герметизации, а потом постепенная коррозия.
V>>Гибриды всё еще на аллюминии по большей части. А на какой технологии будут кристаллы сверху гибрида — второй вопрос. K>О каких гибридах идёт речь?
V>>И? Объеденить память, проц и видюху прямо на сегодня будет означать увеличение транзисторов в ~4-5 раз на одном кристалле. А оно в любом случае так будет через ~7-8 лет, даже без объединения, в каждом компоненте в отдельности. И проблемы надо будет как-то решать. Твои предложения? K>Предсказывать, конечно, дело неблагодарное, но я попробую. K>Эволюционно: по мере увеличения кол-ва элементов придётся увеличивать прощадь кристалла. Это приводит в большему проценту брака, но других способов я пока не вижу — уменьшать техпроцесс дальше уже безумно трудно. Уже сейчас видеочипы используют довольно большой по площади кристалл, и проблема тепловыделения "решена" пониженными частотами видеочипа. То есть движуха будет направлена в основном в сторону увеличения параллелизма вычислений.
Ну вот у тебя 300мм пластина. Сколько с нее выйдет устройств?
K>Революционно: я всё-таки возлагаю большие надежды на туннельные транзисторы. Если эту технологию удастся допилить до уровня промышленного применения, то это очень круто поменяет всю электронику вокруг нас — в частности, ноуты, которые смогут работать сутками напролёт без перезарядки, а уж про мобилы и говорить нечего
IBM говорило в 2005-м, что всё уже работает на зверских частотах порядка 50ГГц, просто "процесс пока дорогой".
Т.е. фактически что имеем:
— таки возможность уменьшения размеров до порядка 8-10нм (именно такие рисунки уже умеют наносить Intel и IBM, но пока нет таких массовых заводов, это в лаборатоных условиях), т.е. повышение интеграции до 16 раз на прежних размерах кристаллов вполне возможно.
— уже давно есть более быстрые и более экономные технологии. Вопрос лишь в цене.
— в сочетании с обязательным пересмотром системы охлаждения, возможен объемный дизайн, т.е. возможно еще повышение интеграции в несколько раз на тех же площадях.
Здравствуйте, quwy, Вы писали:
Q>Блин. Вы сказали, что не мажетесь хлорным железом потому, что дорожки 0.125 все равно руками не нарисуете. Я же сказал, что такие дорожки можно печатать принтером, но хлорного железа это никак не отменяет.
Хм... А что за принтер?
V>>Забудь про HDD, они уже агонизируют. Q>Ну да, как я мог забыть. В 2000 году постоянно то же самое слышал про CRT, только "агонизировали" они еще не менее половины десятилетия.
Ну так 2 года из этой "половины десятилетия" считай уже прошли. Осталось еще 3.
Q>Это какое же должно быть ускорение, чтобы дорожки порвались?!
Дык, рвутся даже без ускорений. Не любят печатные платы даже небольших изгибов.
V>>Это ты сам себе придумал. А как оно на самом деле будет — я уже сказал, см про "пластиковую хрень". Q>Насчет "как оно на самом будет" -- ваше оптимистическое мнение против моего реалистического. Я рад бы ошибиться, но этого не будет.
Я просто не вижу причин, по которым одна пластиковая хрень с разводкой (печатная плата) должна изготавливаться отдельно от другой пластиковой хрени (гибридная схема на полимере-подложке).
Здравствуйте, vdimas, Вы писали:
Q>>Блин. Вы сказали, что не мажетесь хлорным железом потому, что дорожки 0.125 все равно руками не нарисуете. Я же сказал, что такие дорожки можно печатать принтером, но хлорного железа это никак не отменяет. V>Хм... А что за принтер?
Любой лазерный.
V>>>Забудь про HDD, они уже агонизируют. Q>>Ну да, как я мог забыть. В 2000 году постоянно то же самое слышал про CRT, только "агонизировали" они еще не менее половины десятилетия. V>Ну так 2 года из этой "половины десятилетия" считай уже прошли. Осталось еще 3.
С чего это? В 2000 году LCD были как раз чем-то вроде SSD сейчас. Кто хотел -- тот их имел, но заменить CRT они еще не менее пяти лет не могли никак.
Q>>Это какое же должно быть ускорение, чтобы дорожки порвались?! V>Дык, рвутся даже без ускорений. Не любят печатные платы даже небольших изгибов.
Ни разу у меня из-за изгиба дорожки не рвались. Медь -- весьма пластичный металл, растягивается процентов но 20 перед тем как разорваться.
V>>>Это ты сам себе придумал. А как оно на самом деле будет — я уже сказал, см про "пластиковую хрень". Q>>Насчет "как оно на самом будет" -- ваше оптимистическое мнение против моего реалистического. Я рад бы ошибиться, но этого не будет. V>Я просто не вижу причин, по которым одна пластиковая хрень с разводкой (печатная плата) должна изготавливаться отдельно от другой пластиковой хрени (гибридная схема на полимере-подложке).
Потому что это разные вещи.Ну да, как я мог забыть. В 2000 году постоянно то же самое слышал про CRT, только
Здравствуйте, quwy, Вы писали:
Q>>>Разводка плат алюминиевой вообще никогда не была, это два. V>>Кстате, это уже второй твой залет насчет печатных плат. Q>Ты из армии, чтоле, пишешь? Чё за феня?
Скажем так, "повышенный" тон общения задал именно ты. Мне-то не сложно и подержать...
Q>В первом случае алюминий не используется для разводки (выделил жирным для танкистов),
А где ты видел, чтобы я настаивал, что обычных печатныхплатах аллюминий используется именно для разводки? Это было твоё опровержение собственных домыслов.
(хотя во втором случае — именно для разводки)
Q>а второй случай вообще -- какая-то дикая нетехнологичная экзотика.
С чего бы это нетехнологичная? Оксид аллюминия — отличный диэлектрик, оч удобно.
Q>Хоть один пример реального использования этого чуда есть?
Я лично не сталкивался, но в обзорах читал про более равномерное распределение тепла.
V>>Хотя я имел ввиду аллюминий как подложку гибридов Soc, ес-но, а не материал дорожек печатных плат, но твоё упрямство показательно. Q>Твое тоже показательно, нет алюминия в современных процессорах, так что сам же агитируешь за гетерогенные контакты медь-алюминий.
Вообще-то я агитировал за однокомпонентные соединения. Если прямо сейчас используется медь (последние 5 лет) — ну пусть медь. Хотя медь не очень хороша, ес-но и крайне нетехнологична, и у нее нет потрясающего окисла, как у аллюминия... Просто, пока речь идет о таких безобразных токах, как сегодня, то пусть медь. Но это временный этап, ес-но.
V>>Кстате, аллюминиевые платы первой группы используются более чем широко... странно, что ты не в курсе, коль "пачкаешься хлорным железом уже 20 лет". Q>Алюминиевые платы первой группы имеют медную разводку, советую читать первую строчку этого постинга и выделенный мной фрагмент цитаты до полного просветления.
Это надо так понимать, что уже нашел, где я настаивал на не-медной разводке? Можно цитату?
Здравствуйте, koandrew, Вы писали:
V>>Это ты просто живешь в параллельной игровой вселенной. А в реальности, увы, далеко не у всех стоят картейки, которые это позволяют. В львиной доле современных рабочих компов те же 5 команд на вершину и всё. K>Мимо опять. Даже встроеная графика чипсетов образца двух-трёхлетней давности полностью поддерживает Shader Profile 4.0, в которых уже имеется common shader core, и нет никаких ограничений на шейдеры.
Ну ок, будем считать, что на эти 3 года и отстал...
==========
Специально поставил себе говновидюху на рабочий комп, чтобы не тянуло лишний раз "погонять" какую-нить новинку из твоей области деятельности...
Этих новинок много, а я один. )))
Все твои токи — это токи утечки и рассеяния энергии в виде электромагнитного поля. Так вот сейчас процессор раскачивает нехилые "антенны" на каждой своей выходной ноге. А надо, чтобы не раскачивал.
