Подозреваю, что там уже будет дизайн процессора вероятностный. Типа транзистор работает с вероятностью в 20%, поэтому ставим N штук, чтобы повысить вероятность и тд. Со временем атомы будут дрейфовать и портить структуру.
Re[2]: предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзистор достиг предела
Здравствуйте, vsb, Вы писали:
vsb>Подозреваю, что там уже будет дизайн процессора вероятностный. Типа транзистор работает с вероятностью в 20%, поэтому ставим N штук, чтобы повысить вероятность и тд.
не покатит .. это ты с мемристорами для ИИ — путаешь ..
vsb>Со временем атомы будут дрейфовать и портить структуру.
купишь новый ..
Re[3]: предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзистор достиг предела
Здравствуйте, xma, Вы писали: xma>потому что вычисления "точная наука" (c)
И? Дальше-то что? Если при вычислениях происходит сбой — как вы предполагаете его исправлять? S>>Каждые 20 секунд? xma>пруфов что "каждые 20 секунд" у тебя конечно же нету ? (а не напр., каждые 5-10 лет)
Пруфов про 5-10 лет у вас тоже нет
Т.к. "вычисления — точная наука", нам нужно, чтобы все-все транзисторы в кристалле работали корректно.
Предположим, один транзистор ошибается 1 раз в C тактов, на кристалле — N транзисторов.
Формулу, по которой будем рассчитывать матожидание количества тактов, которые такой процессор проработает без сбоя, сможете сами найти, или вам подсказать?
Уйдемте отсюда, Румата! У вас слишком богатые погреба.
Re[6]: предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзистор достиг предела
Здравствуйте, Sinclair, Вы писали:
S>И? Дальше-то что? Если при вычислениях происходит сбой — как вы предполагаете его исправлять?
читай ниже — коды коррекции ошибок (вероятно), или просто работает без сбоев ..
S>Пруфов про 5-10 лет у вас тоже нет
это не значит что есть какие то основания утверждать о значительном (и критическом) снижении ресурса, или что их нельзя обойти ..
S>нам нужно, чтобы все-все транзисторы в кристалле работали корректно. S>Предположим, один транзистор ошибается 1 раз в C тактов, на кристалле — N транзисторов.
для этого есть коды коррекции ошибок не знаю, насколько они используются в CPU, но факт что когда ошибка(/-и) не устранима — комп просто виснет (что наглядно заметно при перегреве при разгоне)
думаю что более менее транзисторы в чипах работают без ошибок — т.к. читал что серверные процики на последних тонких техпроцессах стали менее стабильны, предполагают что из за космических частиц попадающих в элементы транзисторов чипа ..
S>Формулу, по которой будем рассчитывать матожидание количества тактов, которые такой процессор проработает без сбоя, сможете сами найти, или вам подсказать?
ты что сказать то хочешь ? что на системах аналогичных мемристорам — можно проводить x86 вычисления и запускать винду, или что ? очевидно что это бред ..
Re: предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзистор достиг предела з.М
Изящное решение проблемы закона Мура и, судя по всему, на этом его действие будет завершено, если говорить о традиционных техпроцессах.
Закон Мура, он про количество транзисторов, а не про их размеры. Даже при сохранении текущих технорм есть еще и 3D компоновка, которая в пределе дает квадрат от текущего количества транзисторов. Т.е. вместо 40 млрд получаем 1.6 секстиллиона при тех же технормах и той же средней длине проводника.
... << RSDN@Home 1.3.17 alpha 5 rev. 62>>
Re[2]: предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзистор достиг предела
Здравствуйте, Ночной Смотрящий, Вы писали:
НС>Здравствуйте, xma, Вы писали:
xma>>
Изящное решение проблемы закона Мура и, судя по всему, на этом его действие будет завершено, если говорить о традиционных техпроцессах.
НС>Закон Мура, он про количество транзисторов, а не про их размеры. Даже при сохранении текущих технорм есть еще и 3D компоновка, которая в пределе дает квадрат от текущего количества транзисторов. Т.е. вместо 40 млрд получаем 1.6 секстиллиона при тех же технормах и той же средней длине проводника.
Устройте мне ликбез. Что будет, если один из транзисторов умрет? Насколько помню, для памяти есть алгоритмы исправления ошибок, а если транзистор в процессоре перестанет работать, это как-то фатально?
Re[2]: предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзистор достиг предела
Здравствуйте, Ночной Смотрящий, Вы писали:
НС>Даже при сохранении текущих технорм есть еще и 3D компоновка, которая в пределе дает квадрат от текущего количества транзисторов.
какой нафиг квадрат ? квадрата там даже если из чипа куб сделать — не будет ..
ну степень 1.5 относительно однослойного чипа (квадратного) — конечно реально если из него куб сделать, но как он греться будет и как вообще тепло отводить от него — тот ещё вопрос, а также — сколько он стоить будет ..
НС>Т.е. вместо 40 млрд получаем 1.6 секстиллиона при тех же технормах и той же средней длине проводника.
ну т.е. из 40 млрд транзисторов получим 8 квадриллионов — если сделать из чипа куб, что почти на 6 порядков ниже заявленных тобой величин ..
но сделать такой чип на основе современных транзисторов — во первых нереально, даже чисто по времени (200 тысяч слоёв современной литографией — ты каждую пластину лет десять наверное печатать будешь), ну и т.д.
Re[3]: предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзистор достиг предела
Здравствуйте, xma, Вы писали:
НС>>Даже при сохранении текущих технорм есть еще и 3D компоновка, которая в пределе дает квадрат от текущего количества транзисторов. xma>какой нафиг квадрат ? квадрата там даже если из чипа куб сделать — не будет ..
Теоретический предел — именно квадрат.
xma>ну степень 1.5 относительно однослойного чипа (квадратного) — конечно реально если из него куб сделать, но как он греться будет и как вообще тепло отводить от него — тот ещё вопрос
Вопрос. Но технологии в этом направлении тоже пока развиваются. Сейчас, к примеру, пытаются делать каналы для жидкостного охлаждения.
xma>но сделать такой чип на основе современных транзисторов — во первых нереально, даже чисто по времени (200 тысяч слоёв современной литографией — ты каждую пластину лет десять наверное печатать будешь),
А никто про здесь и сейчас не говорит. Но ты ж заговорил про теоретические пределы.
... << RSDN@Home 1.3.17 alpha 5 rev. 62>>
Re[4]: предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзи
Здравствуйте, Ночной Смотрящий, Вы писали:
НС>Теоретический предел — именно квадрат.
формулы в студию .. а то походу кто то не знает что объём куба — это произведение площади основания на высоту ..
(а не "площадь в квадрате", как ты утверждаешь)
НС>Вопрос. Но технологии в этом направлении тоже пока развиваются. Сейчас, к примеру, пытаются делать каналы для жидкостного охлаждения.
в домашнем применении такое — нахер никому не надо, "одноатомные" транзисторы — куда практичнее .. (если смогут реализовать чипы на них)
НС>А никто про здесь и сейчас не говорит. Но ты ж заговорил про теоретические пределы.
ну ты пределами озвучил условно — "комп с луну" (c), а это не предел — это бред .. а практический (и потенциально реальный) предел — пока что это как раз "одноатомные" транзисторы ..
Здравствуйте, xma, Вы писали: xma>читай ниже — коды коррекции ошибок (вероятно), или просто работает без сбоев ..
Хм. По-моему, вы чего-то категорически не понимаете про коды коррекции ошибок.
Во-первых, напрямую их использовать в логике не получится, т.к. эти коды решают ровно одну задачу "прочитать то, что записано".
Если у вас операция 2+2 получила результат 5, то никакой код коррекции его не скорректирует.
Во-вторых, если трактовать понятие "код коррекции ошибок" шире, то как раз и получится применение избыточного количества транзисторов для компенсации ошибок.
Подобная техника применяется десятилетиями — например, ставят 3 процессора, которые исполняют одну и ту же программу. Результат каждой операции вычисляется голосованием.
xma>это не значит что есть какие то основания утверждать о значительном (и критическом) снижении ресурса, или что их нельзя обойти ..
Почему же нельзя? Можно. Методики обхода известны — это избыточность, которая, по вашему, "не покатит".
xma>для этого есть коды коррекции ошибок не знаю, насколько они используются в CPU, но факт что когда ошибка(/-и) не устранима — комп просто виснет (что наглядно заметно при перегреве при разгоне)
Это ровно оттого, что при современных размерах и скоростях логические элементы работают более-менее стабильно.
Когда речь зайдёт о квантовых размерах, о такой стабильности не придётся и мечтать.
xma>ты что сказать то хочешь ? что на системах аналогичных мемристорам — можно проводить x86 вычисления и запускать винду, или что ? очевидно что это бред ..
Думаю, что в CPU придётся вводить избыточность. А также, возможно, ремаппинг сбойных блоков — примерно так же, как в HDD/SSD.
Ну, то есть понятно, что наращивание количества транзисторов пойдет не по пути увеличения ширины SIMD-регистров, а по пути наращивания количества вычислительных блоков.
А когда их будет не 8-16-14, а сотни тысяч, то логичным будет просто помечать окончательно деградировавшие блоки и выбрасывать их из карты распределения вычислительной мощности.
Уйдемте отсюда, Румата! У вас слишком богатые погреба.
Re[3]: предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзистор достиг предела
Здравствуйте, wl., Вы писали:
wl.>Устройте мне ликбез. Что будет, если один из транзисторов умрет? Насколько помню, для памяти есть алгоритмы исправления ошибок, а если транзистор в процессоре перестанет работать, это как-то фатально?
Вспоминаем авиапромышленность и их резервирование систем
Re[8]: предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзистор достиг предела
Здравствуйте, Sinclair, Вы писали:
S>Здравствуйте, xma, Вы писали: xma>>читай ниже — коды коррекции ошибок (вероятно), или просто работает без сбоев .. S>Хм. По-моему, вы чего-то категорически не понимаете про коды коррекции ошибок. S>Во-первых, напрямую их использовать в логике не получится, т.к. эти коды решают ровно одну задачу "прочитать то, что записано". S>Если у вас операция 2+2 получила результат 5, то никакой код коррекции его не скорректирует.
S>Во-вторых, если трактовать понятие "код коррекции ошибок" шире, то как раз и получится применение избыточного количества транзисторов для компенсации ошибок. S>Подобная техника применяется десятилетиями — например, ставят 3 процессора, которые исполняют одну и ту же программу. Результат каждой операции вычисляется голосованием.
xma>>это не значит что есть какие то основания утверждать о значительном (и критическом) снижении ресурса, или что их нельзя обойти .. S>Почему же нельзя? Можно. Методики обхода известны — это избыточность, которая, по вашему, "не покатит".
xma>>для этого есть коды коррекции ошибок не знаю, насколько они используются в CPU, но факт что когда ошибка(/-и) не устранима — комп просто виснет (что наглядно заметно при перегреве при разгоне) S>Это ровно оттого, что при современных размерах и скоростях логические элементы работают более-менее стабильно. S>Когда речь зайдёт о квантовых размерах, о такой стабильности не придётся и мечтать.
xma>>ты что сказать то хочешь ? что на системах аналогичных мемристорам — можно проводить x86 вычисления и запускать винду, или что ? очевидно что это бред .. S>Думаю, что в CPU придётся вводить избыточность. А также, возможно, ремаппинг сбойных блоков — примерно так же, как в HDD/SSD. S>Ну, то есть понятно, что наращивание количества транзисторов пойдет не по пути увеличения ширины SIMD-регистров, а по пути наращивания количества вычислительных блоков. S>А когда их будет не 8-16-14, а сотни тысяч, то логичным будет просто помечать окончательно деградировавшие блоки и выбрасывать их из карты распределения вычислительной мощности.
Вот вы вводите избыточность. Сразу же возникает вопрос: а в чём профит? Ту же надёжность, тогда можно было бы получить, просто применив более дубовые транзисторы, большего размера. Более низкие частоты, и т.п. Зачем увеличивать кол-во транзисторов, одновременно транжиря их на повышение надёжности?
Коды коррекции ошибок в CPU — это просто бред дилетанта, не представляющего, как всё там устроено. У вас электронная схема, батенька. Все эти коды подразумевают необходимость добавления какой-то ещё электроники, выполнение какой-то ещё работы. Эти предложения просто не от мира сего. Вы хорошо себе представляете, как там устроено?
Дополнительно параллельно делать избыточные операции, и сравнивать результаты — ну это те ещё заморочки. Не от хорошей жизни идут на такие усложнения в электронике.
Ремаппинг сбойных блоков... Господи — сразу видно программистов, ни черта не представляющих электронику. "Примерно так же, как в HDD". Бред сивой кобылы!
Сразу говорю — отключение нерабочих ядер это не ремаппинг.
Re: предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзистор достиг предела з.М
Получается структура толщиной около двух атомов, с затвором длиной в один атом.
xma>
Изящное решение проблемы закона Мура и, судя по всему, на этом его действие будет завершено, если говорить о традиционных техпроцессах.
xma>осталось подождать только — лет 30-50, при условии что и с Тайванем всё в порядке будет ..
xma>вот это я понимаю моща будет .. (особенного если его можно будет — в тысячу/ или миллион слоёв уложить)
Я предсказываю, что будущее за альтернативными архитектурами процессоров. Так как мы упёрлись в повышении частоты, и сейчас только увеличиваем количество транзисторов, получая всё более и более навороченные схемы.
Вероятно, в перспективе лет 50, мы перейдём к архитектуре процессоров не такой, как нынче. Она будет скорее напоминать нынешние GPU. В которых огромное количество вычислительных ядер.
В CPU будущего всё будет точно так же — прорва ядер, у которых есть некая локальная память прямо на чипе. Индивидуально для каждого ядра. Ну ещё и общая память. Сейчас же кэш-память бывает аж в 32 МБ на чипе. Немножко крайне быстрой памяти для каждого из 500 ядер, впридачу 128 ГБ общей памяти... Это будет интересно.
Ну и разумеется, x86 идёт в помойку. Будет какой-нибудь RISC, наверное.
Ну и FPGA рядом на борту. Если кто не знает — FPGA это программно определяемая цифровая схема. Её можно настроить, программно сконфигурировать так, как тебе удобно. На лету.
Т.е. софтверный код например может прямо себе в процессоре состряпать буквально новую инструкцию процессора. Прямо во время исполнения программы. Она будет работать не сильно медленее обычных инструкций.
Re[9]: предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзистор достиг предела
J> вы вводите избыточность. Сразу же возникает вопрос: а в чём профит? Ту же надёжность, тогда можно было бы получить, просто применив более дубовые транзисторы, большего размера. Более низкие частоты, и т.п. Зачем увеличивать кол-во транзисторов, одновременно транжиря их на повышение надёжности?
Дубовые транзисторы надёжны неконтролируемо. А куча мелких — гарантированно.
Re[8]: предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзи
Здравствуйте, Sinclair, Вы писали:
S>Когда речь зайдёт о квантовых размерах, о такой стабильности не придётся и мечтать.
Квантовые размеры толщины базы у транзиторов уже с 90 нм техпроцесса.
Толщина базы приблизилась к ~1 нм, шаг кристаллической решетки ~0.5 нм.
S>А когда их будет не 8-16-14, а сотни тысяч, то логичным будет просто помечать окончательно деградировавшие блоки и выбрасывать их из карты распределения вычислительной мощности.
В пределе такая техника сводится к современным ПЛИС, т.е. удалять можно будет не отдельные макро-блоки (это слишком расточительно), а отдельные логические элементы, меняя конфигурацию связей.
Здравствуйте, vdimas, Вы писали: V>Квантовые размеры толщины базы у транзиторов уже с 90 нм техпроцесса.
Эмм, термин "база" применяется к биполярным транзисторам.
В современной электронике применяются полевые транзисторы, у них базы нет. V>Толщина базы приблизилась к ~1 нм, шаг кристаллической решетки ~0.5 нм.
Не очень понятно, какой именно размер в современных FinFET транзисторах приблизился к 1нм. V>В пределе такая техника сводится к современным ПЛИС, т.е. удалять можно будет не отдельные макро-блоки (это слишком расточительно), а отдельные логические элементы, меняя конфигурацию связей.
Ну, тут мы выходим далеко за рамки моей компетентности. В том смысле, что не очень понятно, можно ли добиться такой безумной плотности, сохранив возможность программирования логики. Или там начнётся дрейф конфигураций, когда элемент "забывает", кем он должен работать, из-за искажений в таблице истинности.
Уйдемте отсюда, Румата! У вас слишком богатые погреба.
Re[2]: предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзи
Здравствуйте, Ночной Смотрящий, Вы писали:
НС>Даже при сохранении текущих технорм есть еще и 3D компоновка
Пока что не выжали всё даже из 3D-многослойной компоновки проводников в кристалле.
Изначально разводка в микросхемах была как у односторонней платы, сейчас как у многослойной, но там есть куда еще двигаться в деле уплотнения транзисторов при сохранении техпроцесса.
НС>которая в пределе дает квадрат от текущего количества транзисторов.
Наверно степень 3/2, если сравнивать квадрат и куб?
Разве что толщина слоя больше нормы техпроцесса...
Еще может выстрелить та тонкость, что чем меньше техпроцесс, тем выгодней делать чипы меньшей площади, т.е. при освоении 3D однажды может случиться так, что высота пирога начнёт заметно превышать размерность основания, при этом площадь основания пирога резко уменьшится.
Т.е. в пределе придёт к тому, в корпусе микросхемы на основной подложке будут возлежать пластины, повёрнутые на бок относительно текущего расположения, т.е. типовая гибридная микросхема будет состоять из многих положенных на бок "3D-колбасок".
Здравствуйте, Sinclair, Вы писали:
V>>Квантовые размеры толщины базы у транзиторов уже с 90 нм техпроцесса. S>Эмм, термин "база" применяется к биполярным транзисторам. S>В современной электронике применяются полевые транзисторы, у них базы нет.
У планарных CMOS базой зовётся отсеченный слой кремния.
V>>Толщина базы приблизилась к ~1 нм, шаг кристаллической решетки ~0.5 нм. S>Не очень понятно, какой именно размер в современных FinFET транзисторах приблизился к 1нм.
Эээ, какой FinFET в 90 нм технологии, о которой речь? ))
Про толщины областей FinFET мог бы тогда найти данные самостоятельно, если решил свернуть стрелки в эту сторону.
Ну и, уже и FinFET не ахти для предполагаемого 3 нм техпроцесса, т.е. если говорить о перспективах, то уж точно не о FinFET.
S>Ну, тут мы выходим далеко за рамки моей компетентности. В том смысле, что не очень понятно, можно ли добиться такой безумной плотности, сохранив возможность программирования логики.
Выглядит так, что без возможности перепрограммирования увеличение кол-ва транзисторов в степень 3/2 банально не нужно — экономически не выгодно.
Цена ошибки проектирования будет слишком велика.
Просто пропадёт смысл экономить на спичках, бо избыточность по транзисторам для целей перепрограммирования будет в некий множитель К, при том что 3D компоновка даёт в пределе степень 3/2 к плотности "плоского" техпроцесса.
S>Или там начнётся дрейф конфигураций, когда элемент "забывает", кем он должен работать, из-за искажений в таблице истинности.
Ес-но, должна быть некая система тестирования элементов/блоков, без такой системы твоя самая первая идея о мониторинге и переключении блоков изначально нерабочая.
Здравствуйте, xma, Вы писали:
xma>но сделать такой чип на основе современных транзисторов — во первых нереально, даже чисто по времени (200 тысяч слоёв современной литографией — ты каждую пластину лет десять наверное печатать будешь), ну и т.д.
Почему?
Ионная имплантация — быстрый процесс, микросекундный.
Рост кристаллов тоже относительно быстр.
И да, в современной литографии уже много слоёв, т.к. разводка проводников давно уже 3D.
Re: предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзистор достиг предела з.М
Здравствуйте, xma, Вы писали:
xma>в Hopper прогнозируют 140B транзисторов и 128 GB HBM3 (TSMC N5)
... xma>почти на порядок — прогресс за 6 лет, а кто то орал — "застой, застой .." ..
Про застой обычно упоминают в контексте производительности одного ядра, самих ядер можно наклепать еще много, другое дело, что на большинство типовых задач это почти не оказывает значимого влияния, это если говорить про CPU.
Если говорить про GPU, то профит только в том, что у кого-то очередная нейросетевуха будет тренироваться побыстрее, а рядовой пользователь получит в игре еще большее количество лучей в 4K, которые он скорее всего и не заметит.
Если допустить, что Die Size одинаковый у GA100 (2020) и GH100 (~2022), то как можно объяснить почти 3-х кратный прирост кол-ва транзисторов при переходе техпроцесса N7 -> N5?
P.S. Отдельного фэйспалма заслуживает лимит TDP.
Re[3]: предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзистор достиг предела
Здравствуйте, 4058, Вы писали:
4>На этом-же ресурсе, чуть позднее опубликован тот-же слайд под названием RUMORED NVIDIA Data-Center GPUs Specifications, причем Die Size и ряд других параметров обозначен как TBC:
ну 80B при TSMC N4 — при той же площади что то маловато ..
4>Если допустить, что Die Size одинаковый у GA100 (2020) и GH100 (~2022), то как можно объяснить почти 3-х кратный прирост кол-ва транзисторов при переходе техпроцесса N7 -> N5?
прирост не трёх кратный, а в 2.6 раза — но да, всё равно что то многовато, но в 2 раза или даже чуть более думаю что вполне реально .. (TSMC N7 -> N4), при той же площади
4>P.S. Отдельного фэйспалма заслуживает лимит TDP.
MAX это для серверной компоновки, ну и тут — можно просто частоты убавить и будет меньше TDP ..
но в любом случае, прогресс идёт — и это радует .. кстате про Hopper вроде Хуанг расскажет (на днях) на GTC 2022 ..
Re[3]: предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзи
Здравствуйте, 4058, Вы писали:
4>На этом-же ресурсе, чуть позднее опубликован тот-же слайд под названием RUMORED NVIDIA Data-Center GPUs Specifications, причем Die Size и ряд других параметров обозначен как TBC:
Вышли окончательные характеристики с презентации (в т.ч. теперь и по твоей ссылке),
транзисторов да — всего в 1.5 раза больше почти навалили, но производительность по TFlops'ам — выросла в 3 раза (TDP правда на 75% тоже вырос), а в суперкомпах Hopper'ы почти на порядок быстрее работают .. (чем кластеры DGX Ampere)
Так исследователи вывели верхний предел скорости оптоэлектронных систем: один петагерц, то есть миллион ГГц. Это жесткое ограничение, его невозможно обойти инженерными методами, поскольку в его основе законы квантовой физики.
это ты с мемристорами для ИИ — путаешь .. 
очевидно что это бред ..
