Сообщение Re[8]: предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзи от 17.03.2022 4:22
Изменено 17.03.2022 4:23 vdimas
Re[8]: предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзистор достиг предела
Здравствуйте, Sinclair, Вы писали:
S>Когда речь зайдёт о квантовых размерах, о такой стабильности не придётся и мечтать.
Квнатовые размеры толщины базы у транзиторов уже с 90 нм техпроцесса.
Толщина базы приблизилась к ~1 нм, шаг кристаллической решетки ~0.5 нм.
S>А когда их будет не 8-16-14, а сотни тысяч, то логичным будет просто помечать окончательно деградировавшие блоки и выбрасывать их из карты распределения вычислительной мощности.
В пределе такая техника сводится к современным ПЛИС, т.е. удалять можно будет не отдельные макро-блоки (это слишком расточительно), а отдельные логические элементы, меняя конфигурацию связей.
S>Когда речь зайдёт о квантовых размерах, о такой стабильности не придётся и мечтать.
Квнатовые размеры толщины базы у транзиторов уже с 90 нм техпроцесса.
Толщина базы приблизилась к ~1 нм, шаг кристаллической решетки ~0.5 нм.
S>А когда их будет не 8-16-14, а сотни тысяч, то логичным будет просто помечать окончательно деградировавшие блоки и выбрасывать их из карты распределения вычислительной мощности.
В пределе такая техника сводится к современным ПЛИС, т.е. удалять можно будет не отдельные макро-блоки (это слишком расточительно), а отдельные логические элементы, меняя конфигурацию связей.
Re[8]: предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзи
Здравствуйте, Sinclair, Вы писали:
S>Когда речь зайдёт о квантовых размерах, о такой стабильности не придётся и мечтать.
Квантовые размеры толщины базы у транзиторов уже с 90 нм техпроцесса.
Толщина базы приблизилась к ~1 нм, шаг кристаллической решетки ~0.5 нм.
S>А когда их будет не 8-16-14, а сотни тысяч, то логичным будет просто помечать окончательно деградировавшие блоки и выбрасывать их из карты распределения вычислительной мощности.
В пределе такая техника сводится к современным ПЛИС, т.е. удалять можно будет не отдельные макро-блоки (это слишком расточительно), а отдельные логические элементы, меняя конфигурацию связей.
S>Когда речь зайдёт о квантовых размерах, о такой стабильности не придётся и мечтать.
Квантовые размеры толщины базы у транзиторов уже с 90 нм техпроцесса.
Толщина базы приблизилась к ~1 нм, шаг кристаллической решетки ~0.5 нм.
S>А когда их будет не 8-16-14, а сотни тысяч, то логичным будет просто помечать окончательно деградировавшие блоки и выбрасывать их из карты распределения вычислительной мощности.
В пределе такая техника сводится к современным ПЛИС, т.е. удалять можно будет не отдельные макро-блоки (это слишком расточительно), а отдельные логические элементы, меняя конфигурацию связей.