Сообщение Re[2]: предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзи от 17.03.2022 9:56
Изменено 17.03.2022 10:00 vdimas
Re[2]: предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзи
Здравствуйте, Ночной Смотрящий, Вы писали:
НС>Даже при сохранении текущих технорм есть еще и 3D компоновка
Пока что не выжали всё даже из 3D-многослойной компоновки проводников в кристалле.
Изначально разводка в микросхемах была как у односторонней платы, сейчас как у многослойной, но там есть куда еще двигаться в деле уплотнения транзисторов при сохранении техпроцесса.
НС>которая в пределе дает квадрат от текущего количества транзисторов.
Наверно степень 3/2, если сравнивать квадрат и куб?
Разве что толщина слоя больше нормы техпроцесса...
Еще может выстрелить та тонкость, что чем меньше техпроцесс, тем выгодней делать чипы меньшей площади, т.е. при освноении 3D может однажды случиться так, что высота пирога однажды начнёт заметно превышать размерность основания, а площадь основания резко уменьшится.
Т.е. в пределе придёт к тому, в корпусе микросхемы на основной подложке будут возлежать пластины, повёрнутые на бок относительно текущего расположения, т.е. типовая гибридная микросхема будет состоять из многих положенных на бок "3D-колбасок".
НС>Даже при сохранении текущих технорм есть еще и 3D компоновка
Пока что не выжали всё даже из 3D-многослойной компоновки проводников в кристалле.
Изначально разводка в микросхемах была как у односторонней платы, сейчас как у многослойной, но там есть куда еще двигаться в деле уплотнения транзисторов при сохранении техпроцесса.
НС>которая в пределе дает квадрат от текущего количества транзисторов.
Наверно степень 3/2, если сравнивать квадрат и куб?
Разве что толщина слоя больше нормы техпроцесса...
Еще может выстрелить та тонкость, что чем меньше техпроцесс, тем выгодней делать чипы меньшей площади, т.е. при освноении 3D может однажды случиться так, что высота пирога однажды начнёт заметно превышать размерность основания, а площадь основания резко уменьшится.
Т.е. в пределе придёт к тому, в корпусе микросхемы на основной подложке будут возлежать пластины, повёрнутые на бок относительно текущего расположения, т.е. типовая гибридная микросхема будет состоять из многих положенных на бок "3D-колбасок".
Re[2]: предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзи
Здравствуйте, Ночной Смотрящий, Вы писали:
НС>Даже при сохранении текущих технорм есть еще и 3D компоновка
Пока что не выжали всё даже из 3D-многослойной компоновки проводников в кристалле.
Изначально разводка в микросхемах была как у односторонней платы, сейчас как у многослойной, но там есть куда еще двигаться в деле уплотнения транзисторов при сохранении техпроцесса.
НС>которая в пределе дает квадрат от текущего количества транзисторов.
Наверно степень 3/2, если сравнивать квадрат и куб?
Разве что толщина слоя больше нормы техпроцесса...
Еще может выстрелить та тонкость, что чем меньше техпроцесс, тем выгодней делать чипы меньшей площади, т.е. при освоении 3D однажды может случиться так, что высота пирога начнёт заметно превышать размерность основания, при этом площадь основания пирога резко уменьшится.
Т.е. в пределе придёт к тому, в корпусе микросхемы на основной подложке будут возлежать пластины, повёрнутые на бок относительно текущего расположения, т.е. типовая гибридная микросхема будет состоять из многих положенных на бок "3D-колбасок".
НС>Даже при сохранении текущих технорм есть еще и 3D компоновка
Пока что не выжали всё даже из 3D-многослойной компоновки проводников в кристалле.
Изначально разводка в микросхемах была как у односторонней платы, сейчас как у многослойной, но там есть куда еще двигаться в деле уплотнения транзисторов при сохранении техпроцесса.
НС>которая в пределе дает квадрат от текущего количества транзисторов.
Наверно степень 3/2, если сравнивать квадрат и куб?
Разве что толщина слоя больше нормы техпроцесса...
Еще может выстрелить та тонкость, что чем меньше техпроцесс, тем выгодней делать чипы меньшей площади, т.е. при освоении 3D однажды может случиться так, что высота пирога начнёт заметно превышать размерность основания, при этом площадь основания пирога резко уменьшится.
Т.е. в пределе придёт к тому, в корпусе микросхемы на основной подложке будут возлежать пластины, повёрнутые на бок относительно текущего расположения, т.е. типовая гибридная микросхема будет состоять из многих положенных на бок "3D-колбасок".