предел техпроцесса, часть 3 (продолжение)

	предыдущие части
	предел техпроцесса (свежие новости), часть 1 (тут Автор: xma Дата: 06.03.21 ) предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзистор достиг предела з.Мура) (тут Автор: xma Дата: 14.03.22 ) P.S.: Imec представила roadmap производства транзисторов и техпроцессов менее 1 нм (тут Автор: xma Дата: 26.05.22 ) падение закона Мура опять отменяется ? (тут Автор: xma Дата: 21.01.23 ) Транзистор из единственной молекулы фуллерена в 1 млн раз быстрее электронных (тут Автор: xma Дата: 07.03.23 )

Новый вид транзисторов уменьшит устройства связи в смартфонах
https://hightech.plus/2023/03/12/novii-vid-tranzistorov-umenshit-ustroistva-svyazi-v-smartfonah

Месяц назад команда специалистов из Университета Мичигана (США) объявила о создании ферроэлектрического полупроводника толщиной в несколько нанометров. Их следующее изобретение не заставило себя долго ждать — это реконфигурируемый транзистор, способный заменить несколько устройств. Его внедрение позволит сделать электронику меньше и дешевле.

В качестве основной области применения разработчики рассматривают радиочастотную и микроволновую связь, а также устройства памяти для электроники и компьютеров будущего.

Изготовлен ФеТВПЭ из нитрида алюминия, обогащенного скандием. Это первый ферроэлектрический полупроводник на основе нитрида, что позволяет интегрировать его с полупроводниками нового поколения на нитриде галлия. Они обеспечивают в 100 раз большую скорость, чем кремний, при высокой эффективности и низкой стоимости. Выращен новый транзистор при помощи технологии молекулярно-пучковой эпитаксии.

предел техпроцесса, часть 3 (продолжение)

	предыдущие части
	предел техпроцесса (свежие новости), часть 1 (тут Автор: xma Дата: 06.03.21 ) предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзистор достиг предела з.Мура) (тут Автор: xma Дата: 14.03.22 ) P.S.: Imec представила roadmap производства транзисторов и техпроцессов менее 1 нм (тут Автор: xma Дата: 26.05.22 ) падение закона Мура опять отменяется ? (тут Автор: xma Дата: 21.01.23 ) Транзистор из единственной молекулы фуллерена в 1 млн раз быстрее электронных (тут Автор: xma Дата: 07.03.23 )

Новый вид транзисторов уменьшит устройства связи в смартфонах
https://hightech.plus/2023/03/12/novii-vid-tranzistorov-umenshit-ustroistva-svyazi-v-smartfonah

Месяц назад команда специалистов из Университета Мичигана (США) объявила о создании ферроэлектрического полупроводника толщиной в несколько нанометров. Их следующее изобретение не заставило себя долго ждать — это реконфигурируемый транзистор, способный заменить несколько устройств. Его внедрение позволит сделать электронику меньше и дешевле.

В качестве основной области применения разработчики рассматривают радиочастотную и микроволновую связь, а также устройства памяти для электроники и компьютеров будущего.

Изготовлен ФеТВПЭ из нитрида алюминия, обогащенного скандием. Это первый ферроэлектрический полупроводник на основе нитрида, что позволяет интегрировать его с полупроводниками нового поколения на нитриде галлия. Они обеспечивают в 100 раз большую скорость, чем кремний, при высокой эффективности и низкой стоимости. Выращен новый транзистор при помощи технологии молекулярно-пучковой эпитаксии.