предел техпроцесса, часть 3
От: xma  
Дата: 12.03.23 22:41
Оценка:
предел техпроцесса, часть 3 (продолжение)

  предыдущие части
предел техпроцесса (свежие новости), часть 1 (тут
Автор: xma
Дата: 06.03.21
)
предел техпроцесса, часть 2 (экспериментальный транзистор достиг предела з.Мура) (тут
Автор: xma
Дата: 14.03.22
)

P.S.:
Imec представила roadmap производства транзисторов и техпроцессов менее 1 нм (тут
Автор: xma
Дата: 26.05.22
)
падение закона Мура опять отменяется ? (тут
Автор: xma
Дата: 21.01.23
)
Транзистор из единственной молекулы фуллерена в 1 млн раз быстрее электронных (тут
Автор: xma
Дата: 07.03.23
)


Новый вид транзисторов уменьшит устройства связи в смартфонах
https://hightech.plus/2023/03/12/novii-vid-tranzistorov-umenshit-ustroistva-svyazi-v-smartfonah

Месяц назад команда специалистов из Университета Мичигана (США) объявила о создании ферроэлектрического полупроводника толщиной в несколько нанометров. Их следующее изобретение не заставило себя долго ждать — это реконфигурируемый транзистор, способный заменить несколько устройств. Его внедрение позволит сделать электронику меньше и дешевле.


В качестве основной области применения разработчики рассматривают радиочастотную и микроволновую связь, а также устройства памяти для электроники и компьютеров будущего.


Изготовлен ФеТВПЭ из нитрида алюминия, обогащенного скандием. Это первый ферроэлектрический полупроводник на основе нитрида, что позволяет интегрировать его с полупроводниками нового поколения на нитриде галлия. Они обеспечивают в 100 раз большую скорость, чем кремний, при высокой эффективности и низкой стоимости. Выращен новый транзистор при помощи технологии молекулярно-пучковой эпитаксии.

Отредактировано 12.03.2023 22:44 xma . Предыдущая версия . Еще …
Отредактировано 12.03.2023 22:43 xma . Предыдущая версия .
 
Подождите ...
Wait...
Пока на собственное сообщение не было ответов, его можно удалить.