Говорят, что раньше память делали на "элементах задержки" (https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%9B%D0%B8%D0%BD%D0%B8%D1%8F_%D0%B7%D0%B0%D0%B4%D0%B5%D1%80%D0%B6%D0%BA%D0%B8), ну что-то там со ртутью для электронов, а свет в алмазе замедляется в 25 раз.

Эффект задержки у электронов возникает при распространении электронов в диэлектрике? (что за хрень пишет мне ChatGPT, в диэлектрике электроны просто не перемещаются).

Но использование линий задержки может привести к ухудшению производительности (каким образом?).

Сигнал поступает на вход элемента задержки, затем он там перемещается (что занимает какое-то время), и затем передаётся (поступает) на выход элемента.

Мне непонятен сам принцип, как вообще сделать на элементах задержки память.

На ферритовых кольцах — понятно, там запись, хранение и считывание. На конденсаторах почти понятно (конденсатор долго хранит заряд). А на линиях задержки — непонятно.