Эффект задержки у электронов возникает при распространении электронов в диэлектрике? (что за хрень пишет мне ChatGPT, в диэлектрике электроны просто не перемещаются).
Но использование линий задержки может привести к ухудшению производительности (каким образом?).
Сигнал поступает на вход элемента задержки, затем он там перемещается (что занимает какое-то время), и затем передаётся (поступает) на выход элемента.
Мне непонятен сам принцип, как вообще сделать на элементах задержки память.
На ферритовых кольцах — понятно, там запись, хранение и считывание. На конденсаторах почти понятно (конденсатор долго хранит заряд). А на линиях задержки — непонятно.
Трансфазор представляет собой оптический аналог электронного транзистора и является оптически бистабильным прибором, способным переключаться в одно из двух четко различимых состояний за время, измеряемое пикосекундами. Он может иметь такие же малые раэмеры, как и электронный транзистор. Для поддержания бистабильного состояния в трансфазоре требуется мощность порядка 10 мВт и энергия переключения порядка 10 фемто Дж. На основе трансфазора реализуется функционально полная система логических элементов, из которых можно строить любые логические схемы и функциональные узлы вычислительных машин.
Здравствуйте, Эйнсток Файр, Вы писали:
ЭФ>Мне непонятен сам принцип, как вообще сделать на элементах задержки память.
Заливаешь туда информацию в последовательном коде, соединяешь выход со входом, и информация бегает по кругу. Но чтобы прочитать или записать нужный кусочек, надо дождаться, пока он мимо пробежит — отсюда невысокая скорость доступа, доступ-то последовательный.
Здравствуйте, Эйнсток Файр, Вы писали:
ЭФ>Мне непонятен сам принцип, как вообще сделать на элементах задержки память.
А как работает обычный магнитный диск, представляешь себе? Диск крутится, мимо головок бегут данные, их можно читать или писать.
Теперь представь себе длинную трубу, по которой медленно (специально замедлили) бегут данные в виде, например, увеличения или уменьшения давления. Они отражаются и бегут обратно. Где-то счётчик считает позиции. Пока пробегают нужные через, например, правый конец трубы — можно читать и даже писать.
Ну и регенерация нужна, на одном конце не пассивный отражатель, а активный.
Там много специфической физики, но достигались неплохие для 1950-х результаты типа 1024 бита на метровую трубу.
ЭФ>На ферритовых кольцах — понятно, там запись, хранение и считывание. На конденсаторах почти понятно (конденсатор долго хранит заряд). А на линиях задержки — непонятно.
В 1970-80-х в СССР любили память на цилиндрических магнитных доменах, выпускали микросхемки и кучу книг. Это что-то среднее между такими линиями задержки и ферритовыми кольцами. В такой памяти давали импульс и все "домены" намагниченности сдвигались по кругу на 1. Достигали плотности в несколько десятков килобит на микруху.
Убило окончательно эту технологию только развитие флэш-памяти: простейший SLC NOR давал плотности в десятки раз выше, надёжность не хуже, и оно жило достаточный срок, чтобы раньше списаться по моральной старости, чем выйти из строя.
Здравствуйте, Эйнсток Файр, Вы писали:
Pzz>> информация бегает по кругу
ЭФ>Чтобы она бегала, к ней энергию надо подводить, верно?
Да. Но это оперативная память, не постоянная.
ЭФ>А все нормальные устройства умудряются хранить как-то без этого (конденсаторы как водоёмы, воду закачал, она некоторое время там).
С конденсаторов заряд постепенно утекает, надо постоянно регенерировать.
Здравствуйте, Эйнсток Файр, Вы писали:
Pzz>> информация бегает по кругу
ЭФ>Чтобы она бегала, к ней энергию надо подводить, верно?
ЭФ>А все нормальные устройства умудряются хранить как-то без этого (конденсаторы как водоёмы, воду закачал, она некоторое время там).
