предел техпроцесса, часть 4 (продолжение)

предыдущие части (тут

Автор: xma
Дата: 13.03.23

)

(про триллион транзисторов подробнее тут

Автор: xma
Дата: 07.09.23

)

вспоминая тему,

В MIT научились выращивать на кремнии атомарно тонкие слои — это продлит жизнь транзистору и закону Мура
https://3dnews.ru/1080536/v-mit-nauchilis-virashchivat-na-kremnii-atomarno-tonkie-sloi-eto-prodlit-gizn-tranzistoru-i-zakonu-mura

«Мы ожидаем, что наша технология может позволить разработать высокопроизводительные электронные устройства нового поколения на основе двумерных полупроводников, — уверяют исследователи. — Мы открыли способ догнать закон Мура, используя двумерные материалы».

и даже братушки китайцы не отстают,

[29.08.2023] В Китае разработали технологию, которая приведёт к 1-нм чипам — 300-мм пластины научились покрывать атомарно тонкими плёнками
https://3dnews.ru/1092188/v-kitae-razrabotali-tehnologiyu-proizvodstva-12dyuymovih-plastin-s-atomarno-tonkimi-sloyami-eto-put-k-1nm-tranzistoram-i-prodleniyu-zakona-mura

Китайские учёные сообщили о создании технологии массового производства подложек с атомарно тонкими полупроводниковыми слоями.

С такими пластинами транзисторы с затвором размером 1 нм и меньше станут реальностью, что продлит действие закона Мура и выведет электронику на новый уровень.

Кроме того, учёные разработали проект установки для выращивания атомарно тонких плёнок в массовых объёмах.

Эта же технология подходит для покрытия подложек графеном, что позволит, наконец, внедрить этот интересный материал в массовое производство чипов.

Следует сказать, что учёные заглянули далеко вперёд. Сегодня 2D-материалы (толщиной в 1 атом) только исследуются на предмет использования в структурах 2D-транзисторов и в других качествах.

До массового производства подобных решений ещё очень далеко, и предстоит провести много научной работы, пока она не воплотится в серийной продукции. Но это важнейшее направление, которое позволит совершить прорыв в производстве электроники и китайские производители внимательно следят за успехами своих учёных.

xma>предел техпроцесса

вдогонку (майские новости),

TSMC уже создала рабочие транзисторы CFET, но до их массового производства ещё очень далеко
https://3dnews.ru/1087371/tsmc-cfet-working

«Позвольте мне прояснить то, что изображено на нашей дорожной карте. Всё, что находится далее нанолистов — это вопрос далёкого будущего. Мы продолжаем работу по нескольким направлениям. Я также хотел бы добавить по поводу одномерных транзисторов <…>

Сейчас все [типы транзисторов] исследуются на предмет возможности стать кандидатом на будущее производство, однако мы не можем точно сказать, какая именно архитектура транзисторов будет использоваться после нанолистов», — прокомментировал вице-президент по вопросам технологического развития TSMC Кевин Чжан.

	обзор перспектив (наглядно)

P.S.:

Intel показала конструкцию транзисторов будущего CFET, но в реальных чипах они появятся нескоро
https://3dnews.ru/1086980/intel-pokazala-konstruktsiyu-cfettranzistorov-na-konferentsii-itf-world-2023

Imec считает, что CFET-транзисторы появятся на рынке не ранее момента, когда техпроцесс производства чипов не сократится до уровня 5 ангстрем, что в свою очередь ожидается не ранее 2032 года.

Итого, резюмируя, сначала появится CFET в 2032+ году, и только потом ожидается что найдётся применение 2D материалам (а после них, возможно и углеродным нанотрубкам), поэтому губу раскатывать на быстрый прогресс, пока ещё дофига рано :D

xma>Imec считает, что CFET-транзисторы появятся на рынке не ранее момента, когда техпроцесс производства чипов не сократится до уровня 5 ангстрем, что в свою очередь ожидается не ранее 2032 года.

TSMC заявила, что через десять лет сможет создавать чипы с 1 трлн транзисторов
https://overclockers.ru/hardnews/show/128569/tsmc-zayavila-chto-cherez-desyat-let-smozhet-sozdavat-chipy-s-1-trln-tranzistorov

Попутно председатель совета директоров TSMC пояснил, что если сейчас самые продвинутые ускорители сочетают до 100 млрд транзисторов, то за десять лет это количество удастся увеличить до 1 трлн транзисторов

т.е. в 10 раз за 10 лет плотность, плюс наверное ещё частота +50% (при той же площади кристалла и том же TDP на единицу площади)