Информация об изменениях

Сообщение Re[2]: предел техпроцесса, часть 4 от 07.09.2023 14:31

Изменено 07.09.2023 14:38 xma

Re[2]: предел техпроцесса, часть 4
xma>Imec считает, что CFET-транзисторы появятся на рынке не ранее момента, когда техпроцесс производства чипов не сократится до уровня 5 ангстрем, что в свою очередь ожидается не ранее 2032 года.

TSMC заявила, что через десять лет сможет создавать чипы с 1 трлн транзисторов
https://overclockers.ru/hardnews/show/128569/tsmc-zayavila-chto-cherez-desyat-let-smozhet-sozdavat-chipy-s-1-trln-tranzistorov

Попутно председатель совета директоров TSMC пояснил, что если сейчас самые продвинутые ускорители сочетают до 100 млрд транзисторов, то за десять лет это количество удастся увеличить до 1 трлн транзисторов


в 10 раз за 10 лет плотность, плюс наверное ещё частота +50%
Re[2]: предел техпроцесса, часть 4
xma>Imec считает, что CFET-транзисторы появятся на рынке не ранее момента, когда техпроцесс производства чипов не сократится до уровня 5 ангстрем, что в свою очередь ожидается не ранее 2032 года.

TSMC заявила, что через десять лет сможет создавать чипы с 1 трлн транзисторов
https://overclockers.ru/hardnews/show/128569/tsmc-zayavila-chto-cherez-desyat-let-smozhet-sozdavat-chipy-s-1-trln-tranzistorov

Попутно председатель совета директоров TSMC пояснил, что если сейчас самые продвинутые ускорители сочетают до 100 млрд транзисторов, то за десять лет это количество удастся увеличить до 1 трлн транзисторов


т.е. в 10 раз за 10 лет плотность, плюс наверное ещё частота +50% (при той же площади кристалла и том же TDP на единицу площади)