Здравствуйте, Serginio1, Вы писали:


SK>>Вообще не очевидно. На что только не пойдет капиталист ради 300% прибыли.
SK>>Помешать им могут только санкции, но запрет COCOM на экспорт из США высоких технологий вроде на Китай не распространяется же?

S> Сейчас может и нет, но это не значит, что их не введут потом.
S> Поэтому Китай и хочет быть независимым вкладывая огромные деньги и переманивая специалистов.

Но, с учетом что 90% компьютерной и бытовой "американской" техники содержит высокие технологии и собирается в Китае они (США) окажутся в фантастически глубокой впадине.

с сотовыми сетями и 5G они уже балансируют на краю.

Все проблемы от жадности и глупости

Здравствуйте, xma, Вы писали:

TSMC представила техпроцесс N4C — благодаря ему 4-нм чипы станут дешевле

Компания TSMC представила новый техпроцесс класса 4–5 нм — N4C. Он призван снизить себестоимость продукции на его основе на 8,5 % по сравнению с процессом N4P, при этом сохранив преемственность по технологической оснастке и средствам проектирования. Кроме того, N4C призван обеспечить снижение уровня брака при производстве чипов.

TSMC не потребуется оборудование High-NA EUV для выпуска чипов по технологии A16

Представители TSMC вчера сделали ряд заявлений, не только подтвердив намерения начать выпуск 2-нм продукции до конца следующего года, но и пообещав внедрить технологию A16 с опережением первоначального графика уже во второй половине 2026 года. При этом ей не потребуется дорогое оборудование с высоким значением числовой апертуры, которое намерена использовать для техпроцесса Intel 14A одноимённая компания.


Кевин Чжан (Kevin Zhang), старший вице-президент TSMC по развитию бизнеса, в интервью Reuters отметил, что компания ускорила освоение техпроцесса A16 по требованию неких разработчиков чипов для систем искусственного интеллекта. Он также выразил уверенность, что TSMC потребуются литографические сканеры ASML с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV), которые стоят около $380 млн за штуку, для производства чипов по технологии A16. В этом отношении TSMC демонстрирует другой подход по сравнению с Intel, которая такое оборудование ASML уже начала испытывать, пусть и в единичном экземпляре, чтобы провести эксперименты ещё в рамках технологии 18A, а потом внедрить к 2027 году уже в рамках серийной версии техпроцесса 14A. Несмотря на высокие капитальные затраты, Intel считает переход на использование литографических сканеров с высоким значением числовой апертуры важным этапом достижения преимущества над конкурентами по себестоимости изготавливаемой продукции.

Компания TSMC в рамках техпроцесса A16 будет использовать литографические сканеры существующего поколения, как можно понять со слов руководства. Разного рода ухищрения с шаблонами, подбор новых химикатов и расходных материалов, а также использование искусственного интеллекта для поиска дефектов позволят TSMC обойтись без более дорогого оборудования при производстве 1,6-нм чипов. Впрочем, подводить питание с оборотной стороны кремниевой пластины TSMC в рамках технологии A16 всё равно будет, поэтому серьёзные новшества в этом смысле всё-таки будут предусмотрены.

В годовом отчёте TSMC отмечается, что компания будет изучать возможность использования литографического оборудования следующего поколения в рамках техпроцесса A14 и более новых, но просто на этапе A16 его применение не кажется экономически целесообразным. Представители TSMC уже высказывались на эту тему, когда впервые стало известно о намерениях Intel перейти на использование сканеров с высоким значением числовой апертуры. Попутно компания будет работать над совершенствованием фотошаблонов и расходных материалов для обработки кремниевых пластин, поэтому сугубо переходом на новые литографические сканеры дело в будущем не ограничится.

Здравствуйте, xma, Вы писали:

Литография с использованием лазера и кремния останется главным способом выпуска чипов и в следующем десятилетии

Соответствующими соображениями в интервью EE Times поделился директор Imec по передовым программам экспозиции Курт Ронзе (Kurt Ronse). Эта бельгийская компания более 30 лет помогает ASML осваивать новые технологии при разработке литографических сканеров, поэтому говорить о перспективе их дальнейшего развития он имеет полное право. Уже сейчас, готовясь перейти к литографическим сканерам с высоким (0,55) значением числовой апертуры (High-NA EUV), производитель оборудования сталкивается с некоторыми проблемами.

В частности, при таком значении числовой апертуры уже начинает проявлять себя поляризация света, снижая контрастность проецируемого на кремниевую пластину изображения. Для борьбы с нею можно использовать поляризационные фильтры, но они повышают энергопотребление оборудования и себестоимость продукции. При переходе к Hyper-NA EUV, как поясняет представитель Imec, проблемой станет поиск новых фоторезистивных материалов, поскольку даже при значении числовой апертуры 0,55 толщина их слоя уменьшается, а это ухудшает точность последующего химического травления.

По словам Курта Ронзе, TSMC не торопится переходить на High-NA EUV благодаря наличию у компании опыта работы с множественными фотошаблонами. Intel таким опытом в достаточной мере не обладает, а потому предпочитает просто перейти на более дорогое оборудование с более высокой разрешающей способностью. Применение двойного шаблонирования потребовало бы более точного позиционирования фотомасок, компания Intel в этой сфере просто не обладает достаточным опытом. По мнению представителя Imec, компания TSMC решится перейти на использование High-NA EUV ближе к концу текущего десятилетия.

В общем случае, подобное оборудование найдёт своё применение при производстве чипов с использованием литографических норм тоньше 2 нм — вплоть до 7 ангстрем. После этого нужно будет применять литографические сканеры со сверхвысоким значением числовой апертуры (Hyper-NA EUV). Такой переход позволит отказаться от двойного шаблонирования, поскольку последний метод увеличивает затраты на оснастку и удлиняет производственный цикл, повышая себестоимость продукции.

Исследователи рассматривали несколько альтернатив литографическому оборудованию со сверхвысоким значением числовой апертуры, по данным Imec. Одной из них является технология нанопечати транзисторов, но по своей производительности данный метод сильно уступает даже сканеру High-NA EUV. Ещё одной альтернативой считалось использование нескольких направленных потоков электронов для формирования нужного рисунка на кремниевой пластине, но единственный производитель подходящего оборудования разорился.

Применение новых материалов вместо кремния пока тоже затруднено, как поясняет представитель Imec. Существуют материалы с более высокой подвижностью электронов, но их очень сложно нанести на пластину, которая при этом продолжит оставаться кремниевой. Оборудование для нанесения новых материалов будет сочетаться с новыми химикатами, и соответствующие эксперименты уже ведутся в лабораториях, но они пока далеки от массового применения.

Здравствуйте, xma, Вы писали:

Samsung усомнилась в нужности литографических машин ASML класса High-NA EUV

В декабре прошлого года делегация руководителей Samsung Electronics в Нидерландах договорилась с коллегами из ASML о строительстве исследовательского центра в Южной Корее, а также расписала график закупки передового оборудования на десять лет вперёд. С тех пор в отвечающем за электронные устройства подразделении Samsung сменилось руководство, и оно уже не так оптимистично смотрит на программу закупки сканеров у ASML.

Как поясняет издание Business Korea, первоначальные договорённости с ASML подразумевали, что Samsung в течение десяти лет закупит не менее трёх литографических сканеров ASML в каждой из линеек Twinscan EXE:5200, EXE:5400 и EXE:5600. Теперь же, как стало известно корейским источникам, Samsung в этом месяце уведомила ASML о намерениях ограничить ассортимент закупаемых литографических систем некоторым количеством Twinscan EXE:5200, и не торопиться с приобретением последующих моделей.

Более того, Samsung приостановила подготовку к строительству исследовательского центра в корейском Хвасоне, который должен был принять всё это оборудование. Официальные представители Samsung Electronics подтвердить информацию не пожелали, отметив, что в планах компании по приобретению оборудования класса High-NA EUV компании ASML ничего не изменилось. «Совместный исследовательский центр двух компаний будет расположен в оптимальном месте», — добавили они.

Неофициальные источники связывают подобные назревающие изменения в курсе Samsung с майским назначением на должность главы подразделения Device Solutions Чон Ён Хёна (Jun Young-hyun), поскольку первоначальные договорённости с ASML были достигнуты ещё его предшественником. Возможно, как только новое руководство подразделения определится с долгосрочными планами, сотрудничество с ASML будет возобновлено на новых условиях, если это потребуется.

Здравствуйте, xma, Вы писали:

Китай близок к началу производства 8-нм чипов без зарубежного оборудования

Самые передовые 7-нм чипы, выпускаемые китайской SMIC по заказу Huawei, как принято считать, изготавливаются с использованием DUV-оборудования нидерландской ASML. Судя по обновлению каталога доступного для китайских производителей отечественного оборудования, у них скоро появится возможность выпускать 8-нм продукцию независимо от наличия доступа к зарубежным литографическим системам.

К такому выводу приходит ресурс TrendForce, ссылающийся на публикацию Министерством промышленности и информационных технологий КНР обновлённого каталога, который составлен для продвижения технического оборудования китайского происхождения.

В какой стадии готовности к выходу на рынок находится соответствующая система, не уточняется, но в документе подчёркивается, что она позволит выпускать чипы с точностью межслойного совмещения не более 8 нм. Разрешающая способность такого оборудования не превышает 65 нм, оно использует лазер с длиной волны 248 нм и кремниевые пластины типоразмера 300 мм. Другими словами, соответствующее оборудование позволяет создавать 8-нм чипы без перехода на лазеры со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV).

Предполагается, что в разработке такой литографической системы приняли участие китайские компании AMEC и SMEE, а также представители научного сообщества КНР. В этом месяце Нидерланды ввели дополнительные ограничения на поставки в Китай литографических сканеров производства ASML, работающих с DUV-излучением. Если китайским производителям удастся наладить выпуск DUV-сканеров для выпуска 8-нм продукции, то местная полупроводниковая промышленность перестанет в некоторой части покрываемого ассортимента продукции зависеть от США, Нидерландов и Японии.

Здравствуйте, xma, Вы писали:

Китай заявил о прорыве в кремниевой фотонике, который позволит делать суперчипы без EUV-литографии

Китай заявил о значительном прорыве в области кремниевой фотоники для производства полупроводников. Государственная лаборатория JFS в Ухане, являющаяся национальным центром исследований в области фотоники, впервые успешно соединила лазерный источник света с кремниевым чипом. Это достижение, по мнению китайских СМИ, может помочь стране преодолеть существующие технические барьеры в проектировании микросхем и достичь самодостаточности в условиях санкций США.

JFS, основанная в 2021 году и получившая государственную поддержку в размере 8,2 млрд юаней ($1,2 млрд), является одним из ключевых институтов Китая, занимающихся разработкой передовых технологий. Как отмечают в JFS, новая технология использует для передачи данных оптические сигналы вместо электрических, что позволяет преодолеть ограничения традиционных чипов, связанных с физическими пределами передачи электрических сигналов и создавать более быстрые и мощные чипов для обработки больших данных, графики и искусственного интеллекта.

Интерес к кремниевой фотонике проявляют не только в Китае. Крупнейшие игроки мировой полупроводниковой индустрии, такие как TSMC, Nvidia, Intel и Huawei, также инвестируют значительные средства в развитие этой технологии. По оценкам SEMI, международной ассоциации полупроводниковой промышленности, мировой рынок кремниевых фотонных чипов к 2030 году достигнет $7,86 млрд по сравнению с $1,26 млрд в 2022 году. Вице-президент TSMC Дуглас Юй Чен-хуа (Douglas Yu Chen-hua) заявил в прошлом году, что «хорошая система интеграции кремниевой фотоники может решить критические проблемы энергоэффективности и вычислительной мощности в эпоху ИИ, что приведет к смене парадигмы в отрасли».

Отметим, что для Китая кремниевая фотоника представляет особую ценность. В отличие от традиционных чипов, для производства фотонных чипов не требуются высокотехнологичные установки экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV), на экспорт которых в Китай наложены ограничения США. «Кремниевые фотонные чипы могут производиться внутри страны с использованием относительно зрелых материалов и оборудования», — заявил в 2022 году Суй Цзюнь (Sui Jun), президент пекинского стартапа Sintone, занимающегося разработкой полупроводников.

Эксперты считают, что кремниевая фотоника может стать «новым фронтом в технологическом соперничестве США и Китая». «Хотя экспортный контроль со стороны США, вероятно, сдерживает возможности Китая в производстве традиционных чипов, это также может непреднамеренно стимулировать Китай к выделению большего количества ресурсов на новые технологии, которые будут играть важную роль в полупроводниках следующего поколения», — написал Мэтью Рейнольдс (Matthew Reynolds), бывший сотрудник Центра стратегических и международных исследований (CSIS).