A>>Транзистор — это кусок очень чистого кремния с примесями. Радиация изменяет (вносит) эти примеси.
A>>p-n переход перестаёт работать. Это не помеха, это деградация самого прибора.
C>P-n перестанет работать, только если трансмутировать
C>Переход испортится, если в кристалле появятся дефекты, мешающие миграции дырок или сам кремний трансмутируется во что-либо другое. Это не так уж и быстро происходит.
Быстрая частица может создать временный канал с повышенной концентрацией электронов-дырок, который сам по себе со временем рассосется, но в условиях эксплуатации может повлечь лавинный пробой. Впрочем с этим можно бороться схемотехнически — ограничивая токи обвязкой, так чтобы лавинный пробой не смог убить переход.
Кстати полевые транзисторы в этом отношении геморройнее биполярных. Затвор у них пробивается микротоками, потому полевики гораздо больше боятся статики. Фактически любое превышение Vgs гарантированно убивает транзистор, даже если затвор включен через много-килоомный резистор. А через много-килоомные резисторы полевики никто не включает, т.к. портяться все временные характеристики.
С другой стороны параметры полевиков менее зависят от радиации чем у биполярных. То есть если полевик только вдруг не сдохнет от неудачно прилетевшего ядра гелия — то в среднем лучше себя ведет в космосе.
А у ламп вот нет таких заморочек от слова вообще

A>>Транзистор — это кусок очень чистого кремния с примесями. Радиация изменяет (вносит) эти примеси.
A>>p-n переход перестаёт работать. Это не помеха, это деградация самого прибора.
C>P-n перестанет работать, только если трансмутировать
C>Переход испортится, если в кристалле появятся дефекты, мешающие миграции дырок или сам кремний трансмутируется во что-либо другое. Это не так уж и быстро происходит.
Быстрая частица может создать временный канал с повышенной концентрацией электронов и дырок, который сам по себе со временем рассосется, но в условиях эксплуатации может повлечь лавинный пробой. Впрочем с этим можно бороться схемотехнически — ограничивая токи обвязкой, так чтобы лавинный пробой не смог убить переход.
Кстати полевые транзисторы в этом отношении геморройнее биполярных. Затвор у них пробивается микротоками, потому полевики гораздо больше боятся статики. Фактически любое превышение Vgs гарантированно убивает транзистор, даже если затвор включен через много-килоомный резистор. А через много-килоомные резисторы полевики никто не включает, т.к. портятся все временнЫе характеристики.
С другой стороны параметры полевиков менее зависят от радиации чем у биполярных. То есть если полевик только вдруг не сдохнет от неудачно прилетевшего ядра гелия — то в среднем лучше себя ведет в космосе.
А у ламп вот нет таких заморочек от слова вообще