Здравствуйте, Vzhyk2, Вы писали:

N>>Обман и упаковка — ладно. Так а почему частоты не растут-то?
V>Ограничение кремния.

Единичные кремниевые транзисторы на современном техпроцессе работают на частотах далеко выше 100 ГГц.
(ошибки в нулях нет)

Т.е. нынешние ограничения — это ограничения в тепловом пакете.
Уменьшение техпроцесса позволяет упаковать больше транзисторов на единицу площади при сохранении того же теплового пакета.

Или, получается, надо уменьшать техпроцесс, но оставить среднюю упаковку прежней ради улучшения теплового пакета, и тогда сможет вырасти частота. ))

============
Что мы имеем сейчас в СВЧ-транзисторах?

Арсенид-галиевые заменяются на нитрид-галиевые.
(но это малоинтересно, бо дорого для массового производства и основная причина замены — большее напряжение пробоя, что важно лишь в высокомощных применениях в связи)

Зато в кремнии — кремниевые полевые СВЧ-транзисторы заменяются на карбид-кремниевые.
Основное отличие — емкость паразитного обратного диода более чем в 5..10 раз меньше.

Еще из жизни современных транзисторов — есть целая россыпь технологий на основе доп. т.н. "антипараллельного диода" для классического MOSFET (разные названия, типа FREDFET), но они конструктивно добавляют p-n переходы к полной схеме транзистора (что для многоистоковых СВЧ-транзисторов не принципиально, но для цифровой техники большой минус).

Еще важным преимуществом для карбид-кремния является высокая макс. температура.
Для кремния сейчас внутренняя температура кристалла макс. под 110-120^o C, для карбид-кремниевых будет выше 200^o C.

Здравствуйте, Vzhyk2, Вы писали:

N>>Обман и упаковка — ладно. Так а почему частоты не растут-то?
V>Ограничение кремния.

Единичные кремниевые транзисторы на современном техпроцессе работают на частотах далеко выше 100 ГГц.
(ошибки в нулях нет)

Т.е. нынешние ограничения — это ограничения в тепловом пакете.
Уменьшение техпроцесса позволяет упаковать больше транзисторов на единицу площади при сохранении того же теплового пакета.

Или, получается, надо уменьшать техпроцесс, но оставить среднюю упаковку прежней ради улучшения теплового пакета, и тогда сможет вырасти частота. ))

============
Что мы имеем сейчас в СВЧ-транзисторах?

Арсенид-галиевые заменяются на нитрид-галиевые.
(но это малоинтересно, бо дорого для массового производства и основная причина замены — большее напряжение пробоя, что важно лишь в высокомощных применениях в связи)

Зато в кремнии — кремниевые полевые СВЧ-транзисторы заменяются на карбид-кремниевые.
Основное отличие — емкость паразитного обратного диода в 5..10 раз меньше.

Еще из жизни современных транзисторов — есть целая россыпь технологий на основе доп. т.н. "антипараллельного диода" для классического MOSFET (разные названия, типа FREDFET), но они конструктивно добавляют p-n переходы к полной схеме транзистора (что для многоистоковых СВЧ-транзисторов не принципиально, но для цифровой техники большой минус).

Еще важным преимуществом для карбид-кремния является высокая макс. температура.
Для кремния сейчас внутренняя температура кристалла макс. под 110-120^o C, для карбид-кремниевых будет выше 200^o C.