Информация об изменениях

Сообщение Re: куда стремятся сканеры (EUV and beyond) и litho технолог от 19.02.2024 20:45

Изменено 19.02.2024 20:49 xma

Re: куда стремятся сканеры (EUV and beyond)
xma>куда стремятся сканеры

P.S.:

[20 марта 2022] Транзистор толщиной в атом: что означает новый прорыв в IT-отрасли
https://www.forbes.ru/mneniya/459479-tranzistor-tolsinoj-v-atom-cto-oznacaet-novyj-proryv-v-it-otrasli

Говоря точнее, из графена сделан только затвор транзистора (переключатель режимов «проводник» и «изолятор»). Именно он имеет толщину в один атом углерода, или 0,34 нм.

Толщина затвора — одно из ключевых ограничений на размер транзистора в целом. Теперь, когда затвор предельно тонок, можно попробовать «подтянуть» и остальные параметры.

В качестве полупроводника в новом транзисторе применяется не кремний, а дисульфид молибдена. Он не двумерен, но тоже способен образовывать чрезвычайно тонкий слой, что также уменьшает транзистор.

Остальные использованные компоненты — это алюминий и его оксид, а также оксид гафния.

Ноу-хау авторов не в составе транзистора, а в технологии его изготовления. Она не требует устанавливать графеновый элемент в нужное место с атомарной точностью. Где бы ни оказалась кромка графена, она займет правильную ориентацию и будет выполнять функции затвора. Это, безусловно, упрощает и удешевляет производство.

Впрочем, новой технологии еще далеко до коммерциализации


любопытно конечно

  Скрытый текст
Re: куда стремятся сканеры (EUV and beyond) и litho технолог
xma>куда стремятся сканеры

P.S.:

[20 марта 2022] Транзистор толщиной в атом: что означает новый прорыв в IT-отрасли
https://www.forbes.ru/mneniya/459479-tranzistor-tolsinoj-v-atom-cto-oznacaet-novyj-proryv-v-it-otrasli

Говоря точнее, из графена сделан только затвор транзистора (переключатель режимов «проводник» и «изолятор»). Именно он имеет толщину в один атом углерода, или 0,34 нм.

Толщина затвора — одно из ключевых ограничений на размер транзистора в целом. Теперь, когда затвор предельно тонок, можно попробовать «подтянуть» и остальные параметры.

В качестве полупроводника в новом транзисторе применяется не кремний, а дисульфид молибдена. Он не двумерен, но тоже способен образовывать чрезвычайно тонкий слой, что также уменьшает транзистор.

Остальные использованные компоненты — это алюминий и его оксид, а также оксид гафния.

Ноу-хау авторов не в составе транзистора, а в технологии его изготовления. Она не требует устанавливать графеновый элемент в нужное место с атомарной точностью. Где бы ни оказалась кромка графена, она займет правильную ориентацию и будет выполнять функции затвора. Это, безусловно, упрощает и удешевляет производство.

Впрочем, новой технологии еще далеко до коммерциализации


любопытно конечно

  Скрытый текст