Информация об изменениях

Сообщение Re[4]: Транзистор из единственной молекулы фуллерена в 1 млн от 07.03.2023 23:08

Изменено 07.03.2023 23:24 xma

Re[4]: Транзистор из единственной молекулы фуллерена в 1 млн
Здравствуйте, Pavel Dvorkin, Вы писали:

xma>>"для чайников" ?

PD>wikipedia

лиха беда начало, допилят и будет одиночным фотоном переключаться (а не лазером), и испускать или "отклонять" (точнее преломлять в нужную сторону) не электрон будет — а фотон (имеет ли это кстате значение ? одиночные электроны медленнее перемещаются чем фотоны или нет ?)

Российские учёные запатентовали оптический транзистор, реагирующий на одиночный фотон при комнатной температуре
https://3dnews.ru/1081372/rossiyskie-uchyonie-poluchili-patent-na-opticheskiy-tranzistor-reagiruyushchiy-na-odinochniy-foton-tak-daleko-eshchyo-nikto-ne-zashyol

а вообще,

Баллистический транзистор
https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%91%D0%B0%D0%BB%D0%BB%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80

Баллистические транзисторы — собирательное название электронных устройств, где носители тока движутся без диссипации энергии и длина свободного пробега носителей намного больше размера канала транзистора. В теории эти транзисторы позволят создать высокочастотные (ТГц диапазон) интегральные схемы, поскольку быстродействие определяется временем пролёта между эмиттером и коллектором или, другими словами, расстоянием между контактами, делённым на скорость электронов.


Вместо требующего большого напряжения для управления потока множества медленных электронов, как это делается в обычных полевых транзисторах, в баллистических транзисторах применяется изменение направления ускоряемых быстрых одиночных электронов посредством затвора, требующее значительно меньшее напряжение.


Одноэлектронный транзистор
https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%9E%D0%B4%D0%BD%D0%BE%D1%8D%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80

Одноэлектронный транзистор (англ. Single-electron transistor, SET) — концепция транзистора, использующего возможность получения заметных изменений напряжения при манипуляции с отдельными электронами. Такая возможность имеется, в частности, благодаря явлению кулоновской блокады.


В 2008 году группа учёных из Манчестерского университета (А. К. Гейм, К. С. Новосёлов, Л. Пономаренко и др.) сообщила о результатах эксперимента, в котором доказана принципиальная возможность создания одноэлектронного транзистора c размерами около 10 нм. Подобный одноэлектронный транзистор может являться единичным элементом будущих графеновых микросхем. Исследователи графена считают, что можно сократить размеры квантовой точки до 1 нм, при этом физические характеристики транзистора не должны измениться.


P.S.: (дополнительно)

ОДНОЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНЗИСТОР (Single Electron Transistor)
http://www.schoolhels.fi/school/school_today/dostigeniya/2012_2013/nanotexnologiya/page16.htm

Таким образом, одноэлектронный транзистор рассматривается как предельная степень миниатюризации классического транзистора — то, к чему стремятся все крупнейшие производители вычислительной техники. В настоящий момент работу одноэлектронных транзисторов можно наблюдать только в исследовательских лабораториях, но в будущем их использование в массовом производстве может привести к резкому снижению энергопотребления и тепловыделения электронными схемами, значительному увеличению быстродействия и плотности элементов микросхем. Развитие технологии одноэлектронных транзисторов позволит создать ячейки памяти с большим временем хранения, высокой плотностью записи информации и малой рассеиваемой мощностью, а также высокочувствительные химические/биохимические сенсоры.

Re[4]: Транзистор из единственной молекулы фуллерена в 1 млн
Здравствуйте, Pavel Dvorkin, Вы писали:

xma>>"для чайников" ?

PD>wikipedia

лиха беда начало, допилят и будет одиночным фотоном переключаться (а не лазером), и испускать или "отклонять" (точнее преломлять в нужную сторону) не электрон будет — а фотон (имеет ли это кстате значение ? одиночные электроны медленнее перемещаются чем фотоны или нет ?)

Российские учёные запатентовали оптический транзистор, реагирующий на одиночный фотон при комнатной температуре
https://3dnews.ru/1081372/rossiyskie-uchyonie-poluchili-patent-na-opticheskiy-tranzistor-reagiruyushchiy-na-odinochniy-foton-tak-daleko-eshchyo-nikto-ne-zashyol

а вообще,

Баллистический транзистор
https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%91%D0%B0%D0%BB%D0%BB%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%B8%D1%87%D0%B5%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80

Баллистические транзисторы — собирательное название электронных устройств, где носители тока движутся без диссипации энергии и длина свободного пробега носителей намного больше размера канала транзистора. В теории эти транзисторы позволят создать высокочастотные (ТГц диапазон) интегральные схемы, поскольку быстродействие определяется временем пролёта между эмиттером и коллектором или, другими словами, расстоянием между контактами, делённым на скорость электронов.


Вместо требующего большого напряжения для управления потока множества медленных электронов, как это делается в обычных полевых транзисторах, в баллистических транзисторах применяется изменение направления ускоряемых быстрых одиночных электронов посредством затвора, требующее значительно меньшее напряжение.


Одноэлектронный транзистор
https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%9E%D0%B4%D0%BD%D0%BE%D1%8D%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80

Одноэлектронный транзистор (англ. Single-electron transistor, SET) — концепция транзистора, использующего возможность получения заметных изменений напряжения при манипуляции с отдельными электронами. Такая возможность имеется, в частности, благодаря явлению кулоновской блокады.


В 2008 году группа учёных из Манчестерского университета (А. К. Гейм, К. С. Новосёлов, Л. Пономаренко и др.) сообщила о результатах эксперимента, в котором доказана принципиальная возможность создания одноэлектронного транзистора c размерами около 10 нм. Подобный одноэлектронный транзистор может являться единичным элементом будущих графеновых микросхем. Исследователи графена считают, что можно сократить размеры квантовой точки до 1 нм, при этом физические характеристики транзистора не должны измениться.


P.S.: (дополнительно)

ОДНОЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНЗИСТОР (Single Electron Transistor)
http://www.schoolhels.fi/school/school_today/dostigeniya/2012_2013/nanotexnologiya/page16.htm

Таким образом, одноэлектронный транзистор рассматривается как предельная степень миниатюризации классического транзистора — то, к чему стремятся все крупнейшие производители вычислительной техники. В настоящий момент работу одноэлектронных транзисторов можно наблюдать только в исследовательских лабораториях, но в будущем их использование в массовом производстве может привести к резкому снижению энергопотребления и тепловыделения электронными схемами, значительному увеличению быстродействия и плотности элементов микросхем. Развитие технологии одноэлектронных транзисторов позволит создать ячейки памяти с большим временем хранения, высокой плотностью записи информации и малой рассеиваемой мощностью, а также высокочувствительные химические/биохимические сенсоры.