xma>падение закона Мура опять отменяется ?

кстате, если кто академику РАН нашему не верит, то можете послушать вице-президента Imec

[OCTOBER 21ST, 2021] What’s Next For Transistors And Chiplets
https://semiengineering.com/whats-next-for-transistors-and-chiplets/

Sri Samavedam, senior vice president of CMOS Technologies at Imec, sat down with Semiconductor Engineering to talk about finFET scaling, gate-all-around transistors, interconnects, packaging, chiplets and 3D SoCs. What follows are excerpts of that discussion.

SE: Where is all this heading?

Samavedam: I don’t see innovations in devices and materials, or density scaling, slowing down. We know high-NA (0.55) EUV is coming.

далее,

Транзисторы Достигли Переломного Момента На 3-Нанометровом Техпроцессе
https://semiengineering.com/transistors-reach-tipping-point-at-3nm/

По данным IRDS, к 2031 году полевые транзисторы с нанолистами могут больше не обеспечивать ожидаемую производительность при низком энергопотреблении и стоимости. Дорожная карта предполагает переход на новый транзистор — комплементарные полевые транзисторы (CFET) на узле 1 нм.

Дорожная карта Imec рассказывает немного другую историю. Исследовательский институт продлевает срок службы нанолистов до 2027 года, а затем представит вилочные полевые транзисторы . Затем CFET появятся примерно в 2029 году.

Варианты отдаленного будущего

В течение многих лет отрасль работала над полевыми транзисторами из 2D-материалов. Все еще находящиеся в стадии НИОКР, эти устройства могут появиться после 2030 года, если они достигнут коммерческой жизнеспособности.

Можно с уверенностью сказать, что хотя большая часть архитектур НИОКР не будет реализована в коммерческих целях, сейчас самое время разработать и выбрать структуру, наиболее подходящую для использования через 10 лет.

xma>падение закона Мура опять отменяется ?

Транзисторы Достигли Переломного Момента На 3-Нанометровом Техпроцессе
https://semiengineering.com/transistors-reach-tipping-point-at-3nm/

По данным IRDS, к 2031 году полевые транзисторы с нанолистами могут больше не обеспечивать ожидаемую производительность при низком энергопотреблении и стоимости. Дорожная карта предполагает переход на новый транзистор — комплементарные полевые транзисторы (CFET) на узле 1 нм.

Дорожная карта Imec рассказывает немного другую историю. Исследовательский институт продлевает срок службы нанолистов до 2027 года, а затем представит вилочные полевые транзисторы . Затем CFET появятся примерно в 2029 году.

Варианты отдаленного будущего

В течение многих лет отрасль работала над полевыми транзисторами из 2D-материалов. Все еще находящиеся в стадии НИОКР, эти устройства могут появиться после 2030 года, если они достигнут коммерческой жизнеспособности.

Можно с уверенностью сказать, что хотя большая часть архитектур НИОКР не будет реализована в коммерческих целях, сейчас самое время разработать и выбрать структуру, наиболее подходящую для использования через 10 лет.