TSMC совершила прорыв в создании 1-нанометровых микросхем
От: xma  
Дата: 03.07.21 13:42
Оценка: 1 (1) -1 :)

к переходу на 3 нм готовится и Apple – совершить его она планирует весной 2022 г. с выходом новой модификации планшета iPad Pro.


Тестовое производство 2-нанометровых чипов предварительно назначено на 2023 г. На полную мощность конвейер может заработать как в том же 2023 г., так и спустя год или даже два. Точные сроки Apple и TSMC пока не оговаривают.


Intel совершает рекордный скачок технологий. Она перейдет от 10-нм чипов к суперсовременным 3-нм
https://www.cnews.ru/news/top/2021-07-02_intel_sovershaet_rekordnyj_skachok

Новой топологией открыто интересуется Apple – в марте 2021 г. она присоединилась к ее разработке, желая в дальнейшем стать основным заказчиком 2-нанометровой продукции TSMC. Благодаря помощи Apple TSMC сместила сроки запуска новой линии с 2024 г. на 2023 г.


Авторы утверждают также, что 1-нанометровые нормы обеспечивают энергоэффективность почти на грани физических пределов наноразмерных кремниевых полупроводников.


1-нанометровая топология тоже может увидеть свет в самом ближайшем будущем.


В производстве процессоров нанореволюция. TSMC вот-вот запустит 1-нанометровый техпроцесс
https://www.cnews.ru/news/top/2021-05-21_revolyutsionnyj_proryv_v_proizvodstve

Компания TSMC совершила прорыв в создании 1-нанометровых микросхем, разработав технологию, упрощающую этот процесс.

TSMC работала над этой технологией вместе со специалистами Национального университета Тайваня (НУТ, National Taiwan University) и Массачусетского технологического института (МТИ, Massachusetts Institute of Technology, США).


За пару недель до заявления TSMC об открытии в создании 1-нанометровой микросхемы американская IBM заявила об изобретении первого в мире процессора с топологией 2 нм. Она смогла уместить 50 млрд транзисторов на кристалле размером с ноготь.


  подробнее про 1 нм техпроцесс

Исследователи Массачусетского технологического института установили, что применение полуметаллического висмута в качестве контактного электрода двумерного материала дает возможность существенно снизить сопротивление и увеличить ток. TSMC подключилась только на следующем этапе, когда оригинальное открытие потребовало доработки.

Специалисты TSMC оптимизировали предложенный МТИ процесс осаждения. После этого в дело вступил Национальный институт Тайваня, ученые которого придумали способ сокращения компонентного канала посредством системы литографии пучка ионов гелия.

 
Подождите ...
Wait...
Пока на собственное сообщение не было ответов, его можно удалить.