На переход от 22 нм к 2 нм тоже понадобилось 15 лет
В 2026 году мы увидим первые чипы, произведённые по нормам 2 нм или сопоставимым.
Но перейти к нормам 0,2 нм, согласно прогнозу учёных, рынок сможет примерно к 2040 году.
По оценкам учёных, к 2040 году в техпроцессе 0,2 нм будет использоваться транзисторная структура нового поколения, CFET (комплементарный полевой транзистор), и монолитная 3D-конструкция.
Может, я что-то не понимаю, но размер атома кремния как раз 0.24 нм.
xma>По оценкам учёных, к 2040 году в техпроцессе 0,2 нм будет использоваться транзисторная структура нового поколения, CFET (комплементарный полевой транзистор), и монолитная 3D-конструкция
Хоть новая, хоть не новая, но транзистор из одного атома ?
With best regards
Pavel Dvorkin
Re: Переход от техпроцесса 2 нм к 0,2 нм займёт около 15 лет
Здравствуйте, Pavel Dvorkin, Вы писали:
xma>>По оценкам учёных, к 2040 году в техпроцессе 0,2 нм будет использоваться транзисторная структура нового поколения, CFET (комплементарный полевой транзистор), и монолитная 3D-конструкция PD>Хоть новая, хоть не новая, но транзистор из одного атома ?
Это дурилка, нанометры там давно дутые, как и все в нашем мире.
=сначала спроси у GPT=
Re[2]: Переход от техпроцесса 2 нм к 0,2 нм займёт около 15 лет
Здравствуйте, Pavel Dvorkin, Вы писали:
PD>Здравствуйте, xma, Вы писали:
xma>>Переход от техпроцесса 2 нм к 0,2 нм займёт около 15 лет. Это прогноз корейских учёных xma>>https://www.ixbt.com/news/2025/12/28/2-0-2-15.html
PD>Может, я что-то не понимаю, но размер атома кремния как раз 0.24 нм.
xma>>По оценкам учёных, к 2040 году в техпроцессе 0,2 нм будет использоваться транзисторная структура нового поколения, CFET (комплементарный полевой транзистор), и монолитная 3D-конструкция
PD>Хоть новая, хоть не новая, но транзистор из одного атома ?
Алиса
7 нм — маркетинговое название технологии изготовления полупроводниковых схем (техпроцесса). Оно указывает на поколение технологии и соответствующую ей плотность элементов на единицу площади.
Важно: термин «7 нм» не описывает реальные размеры транзисторов, шаг проводников или расстояния между ними. Например, 7-нм процесс имеет затворы транзисторов шириной около 30–40 нм, а межсоединения первого уровня — около 56 нм. Название техпроцесса скорее указывает на поколение технологии.
У разных производителей цифры сходного техпроцесса могут отличаться. Например, 20 нм у TSMC — то же, что 22 нм у Intel.
и солнце б утром не вставало, когда бы не было меня
Re[3]: Переход от техпроцесса 2 нм к 0,2 нм займёт около 15 лет
Алиса, конечно, непререкаемый авторитет по интегральным схемам . но
S>Оно указывает на поколение технологии и соответствующую ей плотность элементов на единицу площади.
Так все же плотность ? Что тогда такое плотность ? Расстояние между центрами соседей (условно считая элементы квадратными) ?
Расстояние между гранями соседей как плотность не годится — он может быть 7 нм при размере элемента хоть в метр.
S>Важно: термин «7 нм» не описывает реальные размеры транзисторов
Если расстояние между центрами 7 нм, то размер элемента никак не может быть больше.
В общем, резюме простое — либо не та плотность, либо не те нанометры.
With best regards
Pavel Dvorkin
Re[4]: Переход от техпроцесса 2 нм к 0,2 нм займёт около 15 лет
S>>Алиса
PD>Алиса, конечно, непререкаемый авторитет по интегральным схемам . но
S>>Оно указывает на поколение технологии и соответствующую ей плотность элементов на единицу площади.
PD>Так все же плотность ? Что тогда такое плотность ? Расстояние между центрами соседей (условно считая элементы квадратными) ?
Изначально техпроцесс определял длину затвора транзистора и металлический полушаг — половину расстояния между соседними проводящими дорожками на чипе. До 1990-х годов эти цифры отражали реальные физические размеры.
Плотность это количество транзисторов на квадратный миллиметр.
<1 нм
В 2021 году IBM и Samsung совместно объявили о прорыве в проектировании полупроводников с использованием новой архитектуры вертикального транзистора (VTFET), способную резко увеличить производительность и энергоэффективность будущих процессоров, а также вывести их за пределы 1 нм. По сравнению с современными чипами FinFET потребление энергии чипами VTFET ниже на 85 %, а производительность — выше вдвое[134][135].
Бельгийский исследовательский центр ИМЕК сотрудничает с мировыми лидерами в сфере производства чипов, а потому его руководство может представлять путь развития всей полупроводниковой отрасли на несколько лет вперёд. По его мнению, к 2037 году производители чипов смогут освоить техпроцесс A2, а тремя годами позже удастся преодолеть барьер в 0,1 нм. Если исходить из принятых TSMC обозначений, техпроцесс A2 соответствует литографическим нормам 2 ангстрема (0,2 нм). Таким образом, в 2040 году полупроводниковая отрасль может преодолеть барьер в 1 ангстрем (0,1 нм), если предсказания главы Imec Люка ван ден Хова (Luc Van den hove) оправдаются. Свои заявления он сделал на технологическом форуме на Тайване, работу которого широко освещали местные СМИ[136].
В нанолистовой технологии Forksheet (FSFET), применение которой ожидается начиная с техпроцесса 1 нм, в одной конструкции совмещают транзисторы разной полярности, за счёт чего их становится возможным расположить почти вплотную, всего лишь через небольшой слой диэлектрика. Такие пары разнополярных транзисторов (КМОП-сборки, комплементарные пары) используются в чипах почти везде, и слипание их вместе на 20 % повышают общую плотность транзисторов. Переход на эту технологию должен обеспечить рост производительности на 10 % с сохранением потребления или сокращение потребления на 24 % без прироста производительности[137].
Начиная с техпроцесса 0,5 нм (5 ангстрем) комплементарные пары транзисторов предполагается располагать вертикально (CFET). Затем начиная с техпроцесса 0,2 нм (2 ангстрема) планируется уменьшение толщины каналов с целью уменьшения их длины за счет замены кремния двумерными материалами — атомарно-плоскими монослоями, такими как графен, сульфиды или селениды вольфрама или молибдена[138][139].
В конце декабря 2025 года ученые Корейского института инженеров полупроводниковых технологий (SIE) обнародовали прогноз развития микроэлектроники на ближайшие полтора десятилетия. Согласно документу «Дорожная карта развития полупроводниковых технологий», к 2040 году могут появиться процессоры с технологическим процессом 0,2 нм, что ознаменует полноценный переход в ангстремную эру, а также массовое внедрение монолитных 3D-структур. Планируется, что в чипах 0,2 нм будут использоваться транзисторы совершенно новой архитектуры — CFET (комплементарный полевой транзистор), а также монолитная 3D-компоновка, которая позволит радикально увеличить плотность размещения элементов. Прогнозы института охватывают и другие сегменты. Например, ожидается существенное усложнение архитектуры флеш-памяти NAND, где количество слоев может увеличиться с нынешних 321 до 2000. Также прогнозируется увеличение производительности ИИ-процессоров. Если современные чипы обеспечивают производительность на уровне десятков триллионов операций в секунду (TOPS), то к 2040 году возможен выход на уровень 1000 TOPS для задач обучения и 100 TOPS для операций вывода (инференса)[140][141].
и солнце б утром не вставало, когда бы не было меня
Re[5]: Переход от техпроцесса 2 нм к 0,2 нм займёт около 15
Здравствуйте, Serginio1, Вы писали:
S> Плотность это количество транзисторов на квадратный миллиметр.
S>В 2021 году IBM и Samsung совместно объявили о прорыве в проектировании полупроводников с использованием новой архитектуры вертикального транзистора (VTFET), способную резко увеличить производительность и энергоэффективность будущих процессоров, а также вывести их за пределы 1 нм. По сравнению с современными чипами FinFET потребление энергии чипами VTFET ниже на 85 %, а производительность — выше вдвое[134][135].
Ну да, если спичечный коробок положить на широкую грань, то плотность спичек на квадратный миллиметр будет одна, а если на маленькое основание, то совсем другая.
В общем, "в попугаях я гораздо длиннее"
Коль дело дошло до третьего измерения, то надо не употреблять слово плотность как количество на квадратный миллиметр, а вводить некую иную величину — может, и не на кубический миллиметр, но определенно что-то иное. Иначе можно (ad absurdum) и высотой в полметра сделать, оставив прежнюю "плотность" , то есть на квадратный миллиметр.
Здравствуйте, Shmj, Вы писали:
S>Здравствуйте, xma, Вы писали:
xma>>Но перейти к нормам 0,2 нм, согласно прогнозу учёных, рынок сможет примерно к 2040 году.[/q]
S>размер атома водорода — 0,106 нм. Уже бы не путали народ и придумали другое обозначение, без привязки к нанометрам т.н.
Подобно всяким 7D и иже с ними — в рекламе всяки ечудеса бывают.
Re[6]: Переход от техпроцесса 2 нм к 0,2 нм займёт около 15
PD>Коль дело дошло до третьего измерения, то надо не употреблять слово плотность как количество на квадратный миллиметр, а вводить некую иную величину — может, и не на кубический миллиметр, но определенно что-то иное. Иначе можно (ad absurdum) и высотой в полметра сделать, оставив прежнюю "плотность" , то есть на квадратный миллиметр.
MIPS/Watts все остальное конечному потребителю пофиг
Как много веселых ребят, и все делают велосипед...
Re[5]: Переход от техпроцесса 2 нм к 0,2 нм займёт около 15 лет
Здравствуйте, Serginio1, Вы писали:
S>к 2040 году возможен выход на уровень 1000 TOPS для задач обучения и 100 TOPS для операций вывода (инференса).
а не наоборот ?
Re[2]: Переход от техпроцесса 2 нм к 0,2 нм займёт около 15 лет
Здравствуйте, Pavel Dvorkin, Вы писали:
PD>Может, я что-то не понимаю, но размер атома кремния как раз 0.24 нм.
ты же препод и должен понимать что A2/A1 это маркетинговое название (как впрочем и N2/N1|A10)
PD>Хоть новая, хоть не новая, но транзистор из одного атома ?
. но 
