Здравствуйте, xma, Вы писали:
S>>https://en.wikipedia.org/wiki/Through-silicon_via xma>это не для логики и даже не для кэша, а для HBM (быстрая память для GPGPU ускорителей) — заместо GDDR, и возможно чем то похожая хрень типа PowerVIA (подвод питания с обратной стороны чипа)
Откуда вы знаете — этой инфы в открытом доступе нет — все разработки коммерческая тайна.
Разве что лично взять современный процессор и как-то послойно стачивать и изучать. Но в оптический микроскоп не получится уже — там на объектах меньше 0.5 микрометров все радугой заливается.
S>>я с этой областью никак не связан, но человека слушал. xma>какого ещё человека ?
xma>и чё, какие выводы — количество транзюков растёт в 3 раза быстрее чем снижаются нанометры ("маркетинговые")
Нанометры, тем не менее, именно что маркетинговые. То есть не основаны на физической природе. Ни по каким измерениям. Ни по ширине затвора, ни по расстоянию между токопроводящими дорожками. Внимательные люди могут очень тщательно посмотреть на ряд чисел 45 нм — 32 нм — 22 нм — 14 нм — 10 нм — 7 нм — 4 нм и увидеть некую закономерность. Которая вовсе не случайна. Ибо цифры взяты, гм, "с потолка", по вполне конкретным маркетинговым соображениям.
Re[11]: Intel замахнулась на 1 нм. Компания представила техп
Здравствуйте, Shmj, Вы писали:
S>Откуда вы знаете — этой инфы в открытом доступе нет — все разработки коммерческая тайна.
а ты тогда "откуда знаешь", точнее с чего ты взял что "сейчас процессор — это огромный слоеный пирог" ? с чего ты вообще взял что TSV в любом процессоре применяется ? и откуда тебе тогда знать, что если применяется то для чего конкретно — если якобы "инфы в открытом доступе нет — все разработки коммерческая тайна"
Здравствуйте, xma, Вы писали:
S>>Откуда вы знаете — этой инфы в открытом доступе нет — все разработки коммерческая тайна. xma>а ты тогда "откуда знаешь", точнее с чего ты взял что "сейчас процессор — это огромный слоеный пирог" ? с чего ты вообще взял что TSV в любом процессоре применяется ? и откуда тебе тогда знать, что если применяется то для чего конкретно — если якобы "инфы в открытом доступе нет — все разработки коммерческая тайна"
Ну давайте просто прикинем.
Возьмем процессор Apple M2, для примера.
В нем 20 млрд. транзисторов, как заявляет производитель. Поверим.
Площадь кристалла — 142 мм.кв
Пусть даже транзисторы расположены максимально компактно — как на шахматной доске в каждой клеточке.
Тогда 20 млрд. транзисторов дают квадрат, на каждой из сторон которого 141421 транзисторов.
Площадь кристалла известна — 142 мм. кв. — значит сторона квадрата 12 мм.
На каждом миллиметре получается 11785 транзисторов в ряд. Получается размер транзистора — 0.085 микрометров.
Re[7]: Intel замахнулась на 1 нм. Компания представила техпр
Здравствуйте, Vzhyk2, Вы писали:
N>>Обман и упаковка — ладно. Так а почему частоты не растут-то? V>Ограничение кремния.
Единичные кремниевые транзисторы на современном техпроцессе работают на частотах далеко выше 100 ГГц.
(ошибки в нулях нет)
Т.е. нынешние ограничения — это ограничения в тепловом пакете.
Уменьшение техпроцесса позволяет упаковать больше транзисторов на единицу площади при сохранении того же теплового пакета.
Или, получается, надо уменьшать техпроцесс, но оставить среднюю упаковку прежней ради улучшения теплового пакета, и тогда сможет вырасти частота. ))
============
Что мы имеем сейчас в СВЧ-транзисторах?
Арсенид-галиевые заменяются на нитрид-галиевые.
(но это малоинтересно, бо дорого для массового производства и основная причина замены — большее напряжение пробоя, что важно лишь в высокомощных применениях в связи)
Зато в кремнии — кремниевые полевые СВЧ-транзисторы заменяются на карбид-кремниевые.
Основное отличие — емкость паразитного обратного диода в 5..10 раз меньше.
Еще из жизни современных транзисторов — есть целая россыпь технологий на основе доп. т.н. "антипараллельного диода" для классического MOSFET (разные названия, типа FREDFET), но они конструктивно добавляют p-n переходы к полной схеме транзистора (что для многоистоковых СВЧ-транзисторов не принципиально, но для цифровой техники большой минус).
Еще важным преимуществом для карбид-кремния является высокая макс. температура.
Для кремния сейчас внутренняя температура кристалла макс. под 110-120o C, для карбид-кремниевых будет выше 200o C.
Здравствуйте, vdimas, Вы писали:
V>Единичные кремниевые транзисторы на современном техпроцессе работают на частотах далеко выше 100 ГГц.
Ну вот когда единичный станет процессором, тогда и расскажешь.
И это про бузину в огороде.
V>Т.е. нынешние ограничения — это ограничения в тепловом пакете. V>Уменьшение техпроцесса позволяет упаковать больше транзисторов на единицу площади при сохранении того же теплового пакета.
А это про дядьку в Киеве уже.
Re: Intel замахнулась на 1 нм. Компания представила техпроцесс Intel 10A
В интервью каналу TechTechPotato глава Intel Патрик Гелсингер признался: «Я поставил всю компанию на техпроцесс 18A». Ещё в ноябре прошлого года, как отмечает ресурс PCGamer, Гелсингер не был столь категоричен в этом вопросе, и выражал сомнение, можно ли считать освоение техпроцесса Intel 18A событием, от которого зависит вся дальнейшая судьба компании. Очевидно, теперь у него появились причины полагать, что такая зависимость существует.
Напомним, что от техпроцесса Intel 18A сейчас зависит и успех развития контрактного бизнеса компании, поскольку он уже привлёк не менее четырёх крупных клиентов. Это производители продукции оборонного назначения Boeing и Northrop Grumman, шведская компания Ericsson и корпорация Microsoft. Кроме того, Intel оптимизирует средства разработки и сам техпроцесс Intel 18A под нужды клиентов Arm, поэтому количество заказчиков на этом направлении должно расти. Компания ставит перед собой цель к 2030 году стать вторым по величине контрактным производителем чипов в мире. Соответственно, от успеха в освоении техпроцесса Intel 18A действительно зависит многое.
Для Intel реализация подвода питания к микросхемам с оборотной стороны кристалла, которая предусмотрена в рамках техпроцесса Intel 18A, является важным технологическим изменением. Сейчас верхние слои микросхем связаны как раз с электропитанием, они выполняются из металла, но в них приходится делать многочисленные крохотные окна для передачи сигналов на нижние слои. С одной стороны, возникают помехи для сигнала, с другой — снижается КПД электрической части. Подвод питания к нижним слоям с оборотной стороны кристалла позволит решить эти проблемы.
и солнце б утром не вставало, когда бы не было меня
Re[6]: Intel замахнулась на 1 нм. Компания представила техпр
Здравствуйте, Vzhyk2, Вы писали:
V>>Единичные кремниевые транзисторы на современном техпроцессе работают на частотах далеко выше 100 ГГц. V>Ну вот когда единичный станет процессором, тогда и расскажешь.
Вечно вам разжевать, да в рот положить
На пальцах.
В конвейере порядка ~20 транзисторов "длина" одной операции.
"Задержка" при распространении сигнала — это примерно треть от периода макс. частоты для гармонического усилителя с коэф. усиления 1 (те самые 100+ ГГц), т.е., де-факто импульсы синхронизации могут идти с частотой 100*3/20=~15 гигагерц (тут важен лишь максимально-идеальный фронт исходного тактового сигнала).
ОК, еще пару транзисторов накинем на защёлку, это минус 10%, т.е. ~13.5 ГГц для современного техпроцесса аж бегом и с песней вполне.
===
Почему треть, а не пол-периода?
Потому что КМОП-усилитель нелинейный, на середине участка имеет больший коэф. усиления, берут примерно треть периода, это ~0.97 коэф усиления, т.е. если взять амплитуду тактовой 1, будет примерно 0.5 амплитуды на выходе, что достаточно для срабатывания конечного логического элемента: 0.9722=~0.5.
Это почему не более ~20 транзисторов должна быть "длина" цепочки (т.е. высота дерева логических выражений), если надо выжать максимум из располагаемых характеристик транзистора.
А да, напряжение при разгоне повышают для растягивания участка харастеристики с макс. усилением.
===
Далее.
Сумматоры и умножители работают не на линейных схемах, а на иерархических, с логарифмической сложностью, типа таких и таких
В итоге, сложение не происходит за один такт (например, на 64 разряда и длины логики в ~20 транзисторов надо примерно 3 такта), хотя за каждый такт конвейер способен выдавать результат серии независимых сложений.
Зависимых дудки! ))
(но при спекулятивном исполнении — даже зависимых, тут как повезёт)
Поэтому, как минимум вычислительные узлы топовых процов могут работать указанной тактовой, если бы их можно было охлаждать с нужной эфективностью.
А этого нельзя, увы, даже жидким азотом, бо конструкция современных кристаллов не предусматривает активного контакта с хладогентом.
Думаю, все эти разгоны до 10 ГГЦ выполнялись со вскрытием корпуса проца и прочими ухищрениями.
А нанотрубки для жидкого азота надо пускать прямо в толще подложки кристалла конструктивно!
Здравствуйте, vdimas, Вы писали: V>>>Единичные кремниевые транзисторы на современном техпроцессе работают на частотах далеко выше 100 ГГц.
Vzhyk2>>Ну вот когда единичный станет процессором, тогда и расскажешь. V>Думаю, все эти разгоны до 10 ГГЦ выполнялись со вскрытием корпуса проца и прочими ухищрениями. V>А нанотрубки для жидкого азота надо пускать прямо в толще подложки кристалла конструктивно!
Я так понимаю, что ты уже нашел умного человека с кем поспорить и пообщаться — Себя.
Re[8]: Intel замахнулась на 1 нм. Компания представила техпр
Здравствуйте, velkin, Вы писали:
V>Нет, ну спасибо хоть начали делать чиплетные процессоры со 128 ядрами. Но видимо по частотам дальше не уйдут. 10ГГц мы вряд ли увидим даже на бусте.
Ключевое изменение когда-то было — это чуть ли не полный вынос шин питания из основной мешанины разводки при переходе на медь, шины питания идут верхним слоем, они стали более толстыми и способствовали отводу тепла и пущему разгону кристалла. Это середина и вторая часть нулевых годов, когда был последний заметный скачок по частотам.
Сейчас Интел пообещала новый "прорыв" — разводку шин питания снизу, со стороны подложки. Они тем самым обещают еще увеличить плотность упаковки транзисторов, т.к. множественные медные "столбики питания", идущие сверху разводки, занимают овердохрена места в пересчёте на транзисторы и сигнальные шины целевой разводки. Обещают тем самым дополнительно улучшить качество питания схем, что позволит еще немного поднять частоту тактовой.
Так вот, возникает любопытный вопрос, ответа на который я пока нигде не нашёл — теперь кристалл будет крепиться на подложке корпуса вверх-тормашками? ))
Типа, чтобы шины питания были со стороны верхней металлической крышки проца, где происходит основной теплоотвод?
Или конструктивно новый сокет с новой схемой теплоотвода?
Re[6]: Intel замахнулась на 1 нм. Компания представила техпр
Здравствуйте, xma, Вы писали:
xma>[1 June 2013] i7-4790K — Transistor Count (1400 Million), 22 nm xma>[Sep 27th, 2022] 7950x — Transistor Count (16,400 million), 5|6 nm
xma>и чё, какие выводы — количество транзюков растёт в 3 раза быстрее чем снижаются нанометры ("маркетинговые")
Что-то ты путаешь.
Нанометры уменьшились 22/5 = в 4.4 раза, соответственно, кол-во транзисторов должно было увеличиться в 4.42 = ~19.4 раза.
Вместо этого кол-во транзисторов увеличилось в 11.7 раз, размер брехни составляет примерно 70%. ))
и даже не для кэша, а для HBM (быстрая память для GPGPU ускорителей) — заместо GDDR, и возможно чем то похожая хрень типа PowerVIA (подвод питания с обратной стороны чипа)
