Элемент называется MESO: magneto-electric spin-orbit или, по-русски, магнитоэлектрический спин-орбитальный (МЭСО). По сравнению с транзисторами логика МЭСО может переключаться с напряжением в 5 раз меньшим, чем транзисторы в логике КМОП. В эксперименте элемент переключался с напряжением 500 мВ, но расчёты показывают, что переключение также будет происходить при напряжении 100 мВ.
Снижение напряжения для переключения элемента автоматически ведёт к снижению потребления и токов утечек. Разработчики считают, что МЭСО-логика уменьшит потребление чипов от 10 до 30 раз и обеспечит сверхнизкое потребление в ждущем режиме.
...
Интересно, насколько быстро сделают промышленный вариант компьютера?
Хочешь быть счастливым — будь им!
Без булдырабыз!!!
Здравствуйте, LaptevVV, Вы писали:
LVV>Интересно, насколько быстро сделают промышленный вариант компьютера?
Если фатальных инженерных проблем не будет, года за два-три.
Здравствуйте, LaptevVV, Вы писали:
LVV>Интересно, насколько быстро сделают промышленный вариант компьютера?
Лет 10, а то и больше. Там же надо техпроцесс придумывать для чипов, оборудование делать и т.п. Привер — 3D XPoint который появился только через 5 лет на рынке. А саму технологию 3Д элементов они делали вроде с 2008.
Нет такого преступления, на которое не пошло бы суверенное родоплеменное быдло ради продления своего бессмысленного рода и распространения своего бессмысленного генома.
Здравствуйте, LaptevVV, Вы писали:
LVV>Intel нашла замену транзистору: предложен необычный логический элемент с памятью LVV>https://3dnews.ru/979101
LVV>Снижение напряжения для переключения элемента автоматически ведёт к снижению потребления и токов утечек. Разработчики считают, что МЭСО-логика уменьшит потребление чипов от 10 до 30 раз и обеспечит сверхнизкое потребление в ждущем режиме.
по идее скорость переключения также должна возрасти , интересно насколько ?
LVV>Интересно, насколько быстро сделают промышленный вариант компьютера?
не раньше 2030го вестимо ..
Меняя направление электрического диполя с помощью напряжения переключения, также изменяется направление намагниченности. Последнее можно записать и позже считать как данные (0 или 1).
Это они переоткрыли память на ферритовых сердечниках ? Только в нано-варианте.
Меняя направление электрического диполя с помощью напряжения переключения, также изменяется направление намагниченности. Последнее можно записать и позже считать как данные (0 или 1).
E>Это они переоткрыли память на ферритовых сердечниках ? Только в нано-варианте.
разве "память на ферритовых сердечниках" работает на спиновом токе ?
) https://www.nature.com/articles/s41586-018-0770-2
